半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法技术

半导体器件的制造方法及显示器件的制造方法。本发明专利技术的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用使用飞秒激光的接触孔开口的半导体元件的制造方法。此外，本专利技术还涉及具有半导体元件的半导体器件的制造方法。
技术介绍
在衬底上层叠半导体膜、绝缘膜、以及导电层等的各种薄膜，通过光刻技术适当地形成预定的接触孔来制造薄膜晶体管(下面也称为“TFT”)及使用该薄膜晶体管的电路。 光刻技术是指利用光将在被称为光掩模的透明平板表面上利用非透光材料形成的电路等的图案转印在目标衬底上的技术。该光刻技术广泛地使用于半导体集成电路等的制造工序中。而且，以使用光刻技术转印到衬底上的图案为掩模，并且通过对在该成为接触孔的部分中存在的绝缘膜、半导体膜、金属膜等进行蚀刻来除去，可以在所希望的位置上形成接触孔。在采用现有的光刻技术的制造工序中，即便仅进行使用被称为光致抗蚀剂的感光有机树脂材料来形成的掩模图案的处理，也需要曝光、显影、焙烧、剥离等多阶段的工序。因此，光刻工序的次数越增加，制造成本必然越升高。为了改善这些问题，试图缩减光刻工序来制造TFT (例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，在使用通过光刻工序形成的抗蚀剂掩模一次之后，通过膨胀而使其体积增大后作为不同形状的抗蚀剂掩模再次利本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一衬底；第一衬底之上的薄膜晶体管；薄膜晶体管之上的布线，所述布线包括第一开口部；布线上的绝缘层，所述绝缘层包括第二开口部；和第一开口部和第二开口部中并位于绝缘层上的导电层，其中第一开口部大于第二开口部，其中导电层通过第一开口部和第二开口部，其中第二开口部至少部分重叠第一开口部，并且其中导电层电连接到薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森末将文，田中幸一郎，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP