半导体器件及其制造方法技术

技术编号:6656819 阅读:170 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供半导体器件及其制造方法,使半导体部件和电路基板易于对位。半导体器件具有:第一电路基体材料(20),在其表面上形成有多个第一电极(22);第二电路基体材料(30),其设置在第一电路基体材料(20)的上方,在第一电极(22)中的每个第一电极(22)的上方形成有第一贯通孔(30a)和第二贯通孔(30b);半导体封装(50),其设置在第二电路基体材料(30)的上方;多个第一凸起(51),其设置在第一贯通孔(30a)和第二贯通孔(30b)内,连接第一电极(22)和半导体封装(50)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来,随着电子设备的小型化,安装在电子设备上的半导体封装和半导体元件 等半导体部件也逐渐小型化。该半导体部件经由焊锡凸起等连接端子安装在电子设备内的 电路基体材料上,但为了提高该电子设备的成品率,希望提高上述的电路基体材料与半导 体部件的对位精度。专利文献1 JP特开平7-183333号公报;专利文献2 JP特开2007-27305号公报。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,在中,使半导体部件与电路基板易 于对位。根据下面公开的一个观点,提供一种半导体器件,具有第一电路基体材料,在其 表面上形成有多个第一电极;第二电路基体材料,其设置在所述第一电路基体材料的上方, 在所述多个第一电极中的每个第一电极的上方形成有第一贯通孔和第二贯通孔;半导体部 件,其设置在所述第二电路基体材料的上方,在所述半导体部件的表面上形成有多个第二 电极;多个第一凸起,其设置在所述第一贯通孔内和所述第二贯通孔内,用于连接所述第一 电极和所述第二电极。另外,根据公开的另外的观点,提供一种半导体器件的制造方法,具有将形成有 第一贯通孔和第二贯通孔的第二电路基体材料配置在表面形成有多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件,其特征在于,具有:第一电路基体材料,在其表面上形成有多个第一电极;第二电路基体材料,其设置在所述第一电路基体材料的上方,在所述多个第一电极的每个第一电极的上方形成有第一贯通孔和第二贯通孔;半导体部件,其设置在所述第二电路基体材料的上方,在所述半导体部件的表面上形成有多个第二电极;多个第一凸起,其设置在所述第一贯通孔内和所述第二贯通孔内,用于连接所述第一电极和所述第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:水谷大辅
申请(专利权)人:富士通株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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