发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：发光结构层、导电层、结合层、支撑构件、第一和第二焊盘、以及第一和第二电极。发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层。导电层被布置在发光结构层下面。结合层被布置在导电层下面。支撑构件被布置在结合层下面。第一焊盘被布置在支撑构件下面。第二焊盘被布置在支撑构件下面的离第一焊盘的一定距离处。第一电极被连接在第一导电类型半导体层和第一焊盘之间。第二电极被连接在结合层和第二焊盘之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。
技术介绍
由于III-V族氮化物半导体的物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被认为是用于诸如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体是由具有Μ/Ι^^ΝΟ)彡χ彡1，0彡y彡1，以及0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料形成。LED是一种半导体器件，其被用作光源或者使用化合物半导体的特性以将电能转换为红外线或者光，从而接收或者发送信号。这些半导体基LED或者LD被广泛地用作发光器件，并且被应用为用于诸如蜂窝电话的键区发光单元、电子标识牌、以及发光装置的各种产品的光源。
技术实现思路
实施例提供一种具有新的电极结构的发光器件。实施例提供一种发光器件，其中，发光结构层被布置在支撑构件上，并且具有不同的极性的焊盘被布置在支撑构件下面。实施例提供包括发光器件的发光器件封装、和照明系统。在一个实施例中，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电类型半导体层； 该发光结构层下面的导电层；导电层下面的结合层；结合层下面的支撑构件；支撑构件下面的第一焊盘；支撑构件下面的与第一焊盘相隔一距离的第二焊盘；第一电极，该第一电极被连接在第一导电类型半导体层和第一焊盘之间；以及第二电极，该第二电极被连接在结合层和第二焊盘之间。在另一实施例中，发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第一导电类型半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电类型半导体层；发光结构层下面的导电层；导电层下面的结合层；结合层下面的支撑构件；支撑构件下面的第一焊盘；支撑构件下面的第二焊盘；第一电极，该第一电极被连接在第一导电类型半导体层和第一焊盘之间；以及第二电极，该第二电极被连接在结合层和第二焊盘之间，其中，该结合层的宽度至少是发光结构层的宽度的50%。在又一实施例中，发光器件封装包括主体；主体中的第一和第二引线框架；发光器件，该发光器件被布置在第一和第二引线框架上，并且被电连接到第一和第二引线框架； 以及发光器件上的成型构件。其中，该发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、 第一导电类型半导体层下面的有源层、以及有源层下面的第二导电类型半导体层；发光结构层下面的导电层；导电层下面的结合层；结合层下面的支撑构件；第一焊盘，该第一焊盘被布置在支撑构件下面并且被连接到第一引线框架的顶侧；第二焊盘，该第二焊盘被布置在支撑构件下面的位置处和第二引线框架上；第一电极，该第一电极被连接在第一导电类型半导体层和第一焊盘之间；以及第二电极，该第二电极被连接在结合层和第二焊盘之间。在附图和下面的描述中描述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会变得是显而易见的。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件的侧截面图。图2至图7是用于解释制造图1的发光器件的工艺的视图。图8是示出根据第二实施例的发光器件的侧截面图。图9是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图。图10是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图。图11是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图。图12是示出根据第六实施例的发光器件封装的侧截面图。图13是被提供有发光器件的显示设备的分解透视图。图14是示出被提供有发光器件的显示设备的另一示例的示意性截面图。图15是被提供有发光器件的照明单元的透视图。具体实施例方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下， 并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。在附图中，为了便于描述和清楚，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。在下文中，将会参考附图将会描述示例性实施例。图1是示出根据第一实施例的发光器件100的侧截面图。参考图1，发光器件100包括发光结构层135、导电层140、结合层145、支撑构件 150、第一绝缘构件160、第二绝缘构件165、第一电极171和173、第二电极183、第一焊盘 175、以及第二焊盘185。发光器件100包括包含诸如III-V族化合物半导体层的多个化合物半导体层的发光二极管(LED)。LED可以发射诸如蓝、绿、或者红光的可视光或者紫外(UV)光。LED可以通过使用实施例的技术范围内的各种半导体来发射光。发光器件100包括如下的结构，其中，发光结构层135被布置在支撑构件150上面，并且不同的焊盘175和185被布置在支撑构件150下面。发光结构层135包括多个化合物半导体层，并且化合物半导体层包括第一导电类型半导体层110、有源层120、以及第二导电类型半导体层130。第一导电类型半导体层110可以具有单层或者多层结构，并且发光器件100的至少一层可以包括第一导电类型掺杂物。第一导电类型半导体层110可以是由诸如&ιΝ、Α1Ν、Α1&ιΝ、InGaN, InN, InAlGaN, AnnN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP的III-V族化合物半导体形成。第一导电类型半导体层110可以是由具有^^斤 ^则。彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料形成。第一导电类型半导体层110可以是N型半导体层。N型半导体层可以包括N型掺杂物，作为诸如Si、Ge、Sn、Se、以及Te第一导电类型掺杂物。第一导电类型半导体层110可以具有如下的超晶格结构，其中，具有不同的带隙的半导体层被堆叠。超晶格结构包括诸如GaN/InGaN结构或者GaN/AWaN结构的结构。超晶格结构可以包括其中均具有大约数个埃(A)或者更大厚度的至少两对不同的层被交替地堆叠的结构。第一导电类型半导体层110的面积(或者宽度)可以比有源层120的大，但是其不限于此。第一导电类型半导体层110包括光提取结构112。光提取结构112可以被形成在第一导电类型半导体层110的顶表面处。光提取结构112包括至少被形成在第一导电类型半导体层110的顶表面的区域上的诸如粗糙结构、凹凸图案、或者纹理图案的结构。结构的截面形状可以包括角或者柱形。光提取结构112可以更改被入射到第一导电类型半导体层110的顶表面的光的临界角以提高光提取效率。第一导电类型半导体层110的顶表面的内区域可以具有不同于第一导电类型半导体层110的顶表面的外区域的高度。电流扩展层可以被形成在第一导电类型半导体层110的顶表面上。电流扩展层可以包括金属氧化物或者金属氮化物。例如，电流扩展层可以是由诸如ITO(铟锡氧化物)、 IZO (铟锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、 IGTO (铟镓锡氧化物)、AZO (铝锌氧化物),ATO (锑锡氧化物)、GZO (镓锌氧化物)、ITON (ITO 氮化物)、IZON (IZO 氮化物)、IrOx、RuOx, RuOx本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层下面的有源层、以及所述有源层下面的第二导电类型半导体层；所述发光结构层下面的导电层；所述导电层下面的结合层；所述结合层下面的支撑构件；所述支撑构件下面的第一焊盘；在所述支撑构件下面的距所述第一焊盘一距离处的第二焊盘；第一电极，所述第一电极被连接在所述第一导电类型半导体层和所述第一焊盘之间；以及第二电极，所述第二电极被连接在所述结合层和所述第二焊盘之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，李尚烈，文智炯，宋俊午，崔光基，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR