横向结构ＬＥＤ芯片制造技术

本实用新型专利技术提出了一种横向结构ＬＥＤ芯片，包括：依次形成在生长衬底上的Ｎ－类型限制层、活化层和Ｐ－类型限制层、透明电极和钝化层，以及连接电极，连接电极包括Ｎ－打线焊盘、Ｐ－打线焊盘和条形电极。形成有至少一个半导体外延层平台，其底面露出Ｎ－类型限制层；钝化层覆盖透明电极以及半导体外延层平台的侧面和底面；至少两个半通槽，分别开设在半导体外延层平台底面和透明电极上覆盖的钝化层，至少一个半通槽的形状为条形；Ｎ－打线焊盘穿过半通槽与Ｎ－类型限制层连通，Ｐ－打线焊盘穿过半通槽与透明电极连通，条形电极形成在条形的半通槽中并与相应的打线焊盘相连。通过设置条形电极来扩展输入电流的流入面积，从而避免电流拥塞。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种LED芯片结构技术，尤其涉及一种横向结构LED芯片。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)作为半导体照明元件正快速地进 入通用照明领域。现有横向结构LED芯片结构如图IA和图IB所示，图IB为图IA所示横向结构LED 芯片的A-A截面示意图。横向结构LED芯片包括生长衬底101，在生长衬底101上依次形成 有半导体外延层、透明电极105和钝化层107，其中，半导体外延层包括N-类型限制层102、 活化层103和P-类型限制层104，N-类型限制层102形成在生长衬底101上，活化层103 形成在N-类型限制层102上，P-类型限制层104形成在活化层103上。半导体外延层的 N-类型限制层102和P-类型限制层104需要分别连通至外部电路，现有技术采用的方法是 在半导体外延层上形成一外延层平台(mesa)，通常是在形成透明电极105后通过刻蚀来形 成外延层平台以露出底部的N-类型限制层102。而后再形成钝化层107，则钝化层107覆 盖在外延层平台的N-类型限制层102上，且覆盖在剩余半导体外延层和透明电极105的顶 面和侧面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向结构ＬＥＤ芯片，包括：依次形成在生长衬底上的半导体外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极，其中所述半导体外延层包括依次形成在所述生长衬底上的Ｎ－类型限制层、活化层和Ｐ－类型限制层，其特征在于：　　所述半导体外延层上形成有至少一个半导体外延层平台，所述半导体外延层平台的底面露出所述Ｎ－类型限制层；　　所述钝化层覆盖所述透明电极以及所述半导体外延层平台的侧面和底面；　　所述横向结构ＬＥＤ芯片还包括至少两个半通槽，分别开设在所述半导体外延层平台底面和所述透明电极上覆盖的钝化层中以分别露出所述Ｎ－类型限制层和所述透明电极，至少一个所述半通槽的形状为条形；　　所述连接电极包括Ｎ－打线焊盘、Ｐ－打...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，马欣荣，闫春辉，
申请(专利权)人：亚威朗光电中国有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]