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本实用新型提出了一种横向结构ＬＥＤ芯片，包括：依次形成在生长衬底上的Ｎ－类型限制层、活化层和Ｐ－类型限制层、透明电极和钝化层，以及连接电极，连接电极包括Ｎ－打线焊盘、Ｐ－打线焊盘和条形电极。形成有至少一个半导体外延层平台，其底面露出Ｎ－类型...
该专利属于亚威朗光电（中国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过亚威朗光电（中国）有限公司授权不得商用。

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