【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检测方法，特别是一种采用脉冲反射式检测的坩埚内部缺陷的检测方法。
技术介绍
高纯度石英坩埚是生产硅单晶体所必需的石英容器。在硅单晶拉制生产过程中， 将使用石英坩埚作为熔融高纯硅的载体，由拉制杆从石英坩埚内熔融液体中，遂步拉制由硅的单晶体，在整个生产过程中，对石英坩埚的纯度和缺陷控制提出了非常高的要求，目前国内外的控制水平还采用初步的人工检测，对坩埚内表面的气泡、黑点等通过检测标准来控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种采用脉冲反射式检测，通过检测信号的返回时间和幅度做出坩埚是否有缺陷判断的坩埚缺陷的检测方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现，其特征在于采用脉冲反射式检测，给待测坩埚发射持续时间很短的电脉冲，激励探头发射脉冲超声波，并接受在样品中反射回来的脉冲信号，通过检测信号的返回时间和幅度做出判断。由手采用了上述技术方案，本专利技术具有如下有益效果采用脉冲反射式检测的坩埚内部缺陷，精确度高，最大限度地杜绝有缺陷产品的出货而造成质量事故。附图说明图1是本专利技术的原理图。其中A 检测波开始；B 有缺陷的地方；C 检测波结束。 具体...
【技术保护点】
１．一种坩埚缺陷检测方法，其特征在于：采用脉冲反射式检测，给待测坩埚发射持续时间很短的电脉冲，激励探头发射脉冲超声波，并接受在样品中反射回来的脉冲信号，通过检测信号的返回时间和幅度做出判断。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：司继成，沈凯峰，沈凯冰，王金根，
申请(专利权)人：南通路博石英材料有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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