发光器件封装和具有发光器件封装的照明单元制造技术

公开了一种发光器件封装和具有发光器件封装的照明单元。发光器件封装包括：陶瓷基板；在陶瓷基板上的发光器件；在陶瓷基板上的第一透光树脂层，用于覆盖发光器件；以及，在第一透光树脂层上的荧光体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件封装和具有发光器件封装的照明单元。
技术介绍
发光二极管(LED)可以通过使用基于GaAs、AlGaAs, GaN, InGaN和InGaAlP的化合物半导体材料构成用于产生光的光源。这样的LED被封装以用作发出具有各种颜色的光的发光器件。发光器件被用作在诸如发光指示器、字符指示器和图像显示器的各种产品中的光源。
技术实现思路
实施例提供了具有新颖结构的发光器件封装。实施例提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括陶瓷基板、在所述陶瓷基板上的发光器件、在所述发光器件上的透光树脂层和在所述透光树脂层上的荧光体层。实施例提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括布置在透光树脂层之间的荧光体层。实施例提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装能够防止潮气通过在平面型基板和树脂层之间的界面渗透到发光器件封装中。实施例提供了一种发光器件封装，所述发光器件封装包括在基板的外部设置的潮气阻挡层。实施例可以改善具有发光器件封装的诸如显示装置、指示器或发光装置的发光系统的可靠性。根据实施例的一种发光器件封装包括陶瓷基板；在陶瓷基板上的发光器件；在陶瓷基板上的第一透光树脂层，用于覆盖发光器件；以及，在第一透光树脂层上的荧光体层，其中，该第一透光树脂层具有与陶瓷基板的宽度相同的宽度。根据实施例的一种发光器件封装包括基板；在基板上的发光器件；在基板上的树脂层；以及，在树脂层的外部和基板上的潮气阻挡层。根据实施例的一种照明单元包括发光器件封装，所述发光器件封装包括平面型陶瓷基板、在陶瓷基板上的发光器件、用于密封发光器件的在陶瓷基板上的第一透光树脂层以及在第一透光树脂层上的荧光体层；模块基板，其上排列有发光器件封装；以及，在发光器件封装的一侧处的导光板或光学片。附图说明图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的侧截面图；图2是示出图1中所示的陶瓷基板的上表面图案的透视图；图3是示出图1中所示的陶瓷基板的下表面图案的底视图；图4是示出根据第二实施例的发光器件封装的侧截面4图5是示出图4中所示的陶瓷基板的上表面图案的平面图；图6是示出根据第三实施例的发光器件封装的侧截面图；图7是示出根据第四实施例的发光器件封装的侧截面图；图8是示出根据第五实施例的发光器件封装的侧截面图；图9是示出图8中所示的陶瓷基板的上表面图案的平面图；图10是示出图8中所示的陶瓷基板的下表面图案的底视图；图11和12是示出根据实施例的封装的外观的侧视图；图13是示出根据第六实施例的显示装置的侧截面图；图14是示出图13中所示的发光器件封装的另一布置的视图；图15是示出根据第七实施例的发光器件封装的侧截面图；图16是示出图15中所示的陶瓷基板的上表面图案的平面图；图17是示出图15中所示的陶瓷基板的下表面图案的底视图；图18-21是示出用于制造根据第七实施例的发光器件封装的过程的截面图；图22是示出根据第八实施例的发光器件封装的侧截面图；图23是示出根据第九实施例的发光器件封装的侧截面图；以及图24是示出根据实施例的包括发光器件封装的显示装置的视图。具体实施例方式在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘或另一图案“上”或“下”时，它可以“直接地”或“间接地”在另一基板、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。为了方便或清楚的目的，在附图中示出的每层的厚度和大小可以被夸大、省略或示意地示出。另外，元件的大小没有完全反映实际大小。以下，将参考附图描述示例性实施例。图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的侧截面图，图2是示出图1中所示的陶瓷基板的上表面图案的透视图，并且图3是示出图1中所示的陶瓷基板的下表面图案的底视图。参考图1至3，发光器件封装100包括基板110、第一和第二电极图案111和113、 第三和第四电极图案121和123、热辐射图案125、导电导通孔131、133和135、发光器件 140、第一透光树脂层150和荧光体层155。基板110具有优异的耐热性和优异的针对热的耐蚀性。基板110可以包括氧化铝、石英、锆酸钙、镁橄榄石、SiC、石墨、熔凝硅石、莫来石、堇青石、氧化锆、氧化铍、氮化铝或LTCC(低温共烧陶瓷)。为了说明的方便，下面将描述陶瓷基板作为基板110的示例。通过使用单侧铜箔层或双侧铜箔层的结构可以将陶瓷基板110制备为单层基板或多层基板。通过选择性地使用诸如Cu、Ag、Al、Ni或Au的导电金属，铜箔层可以被制备为金属板，并且铜箔层可以具有通过蚀刻处理形成的预定图案。陶瓷基板110可以具有圆形或多边形，但是实施例不限于此。参考图2和3，第一和第二电极图案111和113形成在陶瓷基板110的上表面IlOA 上，并且第三和第四电极图案121和123和热辐射图案125形成在陶瓷基板110的下表面IlOB上。第一电极图案111通过至少一个导电导通孔131连接到第三电极图案121，使得第一电极图案111的一部分可以对应于第三电极图案121的一部分。另外，第二电极图案 113通过至少一个导电导通孔133连接到第四电极图案123，使得第二电极图案113的一部分可以对应于第四电极图案123的一部分。第一电极图案111的大小可以大于第二电极图案113的大小，并且第一电极图案 111可以在各种方向上分支，以发散从发光器件140产生的热。热辐射图案125可以与第一电极图案111对应地形成在陶瓷基板110的下表面 IlOB上。第一电极图案111通过至少一个第三导电导通孔135连接到热辐射图案125，使得第一电极图案111的一部分可以对应于热辐射图案125的一部分。热辐射图案125可以具有比第三和第四电极图案121和123的大小大的大小。发光器件140形成在第一电极图案111上。详细而言，通过使用导电粘合剂或焊料将发光器件140安装在第一电极图案111上。第二电极图案113与第一电极图案111隔开，并且通过布线142连接到发光器件 140。第一和第二电极图案111和113定位为对应于陶瓷基板110的中心区域，并且电连接到发光器件140。发光器件140可以根据芯片的电极的位置或芯片的类型，通过贴片方案、倒装芯片方案或者引线键合方案连接到第一和第二电极图案111和113，但是实施例不限于此。如图1至3所示，穿过陶瓷基板110形成第一至第三导电导通孔131、133和135， 使得在陶瓷基板110上形成的图案可以连接到在陶瓷基板110下形成的图案。通过使用诸如Ag的导电材料填充通孔或在通孔周围涂敷导电材料，可以形成陶瓷基板110的第一至第三导电导通孔131、133和135。第三电极图案121可以与热辐射图案125—体地形成。这样的图案的构造可以取决于热辐射效率而改变。导电导通孔131、133和135是导电连接构件。发光器件140是LED (发光器件)芯片，其包括彩色LED芯片，诸如蓝色LED芯片、 绿色LED芯片或红色LED芯片，或UV LED芯片。至少一个发光器件140被布置在陶瓷基板 110 上。参考图1，具有比发光器件140的半导体介质的折射率低的折射率的树脂层可以形成在陶瓷基板Iio上。树脂层是用于覆盖发光器件1本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件封装，包括：陶瓷基板；在所述陶瓷基板上的发光器件；在所述陶瓷基板上的第一透光树脂层，用于覆盖所述发光器件；以及，在所述第一透光树脂层上的荧光体层，其中，所述第一透光树脂层具有与所述陶瓷基板的宽度相同的宽度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金完镐，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR