一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法技术

一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，按照质量百分含量配比如下：氢氧化钠20~40%、氟化钠4~6%和次氯酸钠0.3~0.7%，水50~70%制作腐蚀液，控制腐蚀温度为50~70℃，硅芯在液体中浸泡时间为3~5分钟，然后用纯水漂洗5~7遍，再用纯水煮沸3~5分钟，放入烘箱80~100℃烘干即可，采用了一种新的对多晶硅硅芯进行腐蚀处理，所得硅芯的比较面积达到40~80m－1，大大高于混酸腐蚀的比表面积，本发明专利技术取代传统使用的氢氟酸和硝酸混酸腐蚀液，提供了一个安全无污染、高效低成本的硅芯腐蚀新工艺；具有环境污染小、腐蚀成本低、人身无伤害及腐蚀效果好的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅生产技术，特别是。
技术介绍
改良西门子法生产多晶硅中，还原炉内通过气相沉积制备棒状多晶硅所用的多晶硅硅芯必须均相、洁净无杂质，而通过硅芯炉拉制得的硅芯表面有较多的硅颗粒、金属氧化物及S^2等分散相及杂质，必须通过腐蚀手段除去这些杂质，以利于在还原炉内生长多晶硅硅棒，传统的方法是用浓硝酸和氢氟酸体积比3:广4:1的混合酸对其进行腐蚀处理。腐蚀处理在通风柜内进行，腐蚀过程中产生的挥发成分含有HF，NOx等有害气体，同时产生含 HNO3, HF, H2SiF6等的废液，主反应方程式如下4HN03+S i +6HF=H2S i F6+4N02 个 +4H20 Si02+6HF=H2SiF6+2H20该硅芯腐蚀方法使用了大量的有毒、易挥发浓氢氟酸和浓硝酸，有很大的缺点，一方面，污染环境、中和处理废气、废液麻烦以及易造成人身伤害；另一方面，这两种酸价格都较高，导致腐蚀成本较高；第三，由于该腐蚀液对硅芯的腐蚀是均勻腐蚀，表面是均勻光滑的， 相对于表面存在微小凹凸表面的硅芯来讲，其比表面积更小，硅在硅芯表面沉积时，比表面积越大，活性中心越多，沉积速率越大，因此酸腐蚀得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种多晶硅硅芯腐蚀的新方法，其特征在于：①将氢氧化钠２０～４０％、氟化钠４～６％、次氯酸钠０．３～０．７％和水５０～７０％常温充分溶解制成腐蚀液，其中比例为质量百分比；②将腐蚀液倒入腐蚀槽内，加热至５０～７０℃，放入硅芯，保持温度下腐蚀３～５分钟；③取出硅芯，放入超纯水清洗槽内清洗５～７遍；④取出清洗槽内的硅芯放入超纯水加热槽内，升高温度至水沸腾，保持沸腾状态煮３～５分钟；⑤从加热槽内取出硅芯，放入烘箱内，保持温度８０～９０℃，烘干１～２小时后降温至室温取出即可。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岗，周大荣，孙建荣，蒋敏，孙兵，胡成发，
申请(专利权)人：连云港中彩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32