本发明专利技术涉及一种硅芯腐蚀工艺，特征是，包括以下工艺步骤：（1）将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡10~20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0.5~1%的双氧水，碱溶液的温度为50~60℃；（2）一级漂洗：将硅芯放入纯水中漂洗5~10分钟以去除碱溶液；（3）中和：将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液；（4）二级漂洗：将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5~10分钟以去除氢氟酸溶液；（5）洁净：将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡30~50分钟；（6）烘干：将硅芯置于烘箱中烘干。本发明专利技术的优点是：本发明专利技术所述方法的成本只有酸腐蚀的一半，且腐蚀液可反复使用；不会产生氮化物污染环境，且对人体不会造成危害。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硅芯腐蚀工艺，尤其是一种高纯多晶硅生产中的对使用硅芯的清洗工艺。
技术介绍
拉制的硅芯表面必须经过洁净处理后，才能被生产使用。在现有技术中，硅芯表面的洁净方式通常是使其浸泡在硝酸和氢氟酸的混合酸内发生化学反应，其反应方程式如下3Si + 4HN03 + 18HF — 3H2SiF6 + 4N0 + 8H20,以此达到洁净的目的。这种洁净方式的缺陷是在处理过程中会产生大量的氮氧化物，影响到周围的环境，并需投资环保设备来加以处理，此外现有技术完全是人工操作，对操作人员的身体会造成一定的危害。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种硅芯腐蚀工艺，不会有氮化物的生成，不会对环境造成污染，同时对人体也不会有伤害。按照本专利技术提供的技术方案，所述硅芯腐蚀工艺，特征是，包括以下工艺步骤(1)硅芯腐蚀选取长度为200(T2200mm、直径为8 12mm的硅芯，将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡1(Γ20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0. 5^1%的双氧水，碱溶液的温度为 50^600C ；所述碱溶液的组份为氢氧化钾30(T350g/L、氟化钠4(T50g/L，其余为水；(2)一级漂洗将经步骤(1)处理后的硅芯放入纯水中漂洗5 10分钟以去除碱溶液；(3)中和将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液，浸泡时间为2 3分钟，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为5 10% ；(4)二级漂洗将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5 10分钟以去除氢氟酸溶液；(5)洁净将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡3(Γ50分钟，纯水的温度为 50^600C ；(6)烘干将硅芯置于7(T80°C的烘箱中烘干，烘干时间为3(Γ60分钟。本专利技术的优点是1、本专利技术所述方法的成本只有酸腐蚀的一半；2、腐蚀液可反复使用；3、不会产生氮化物污染环境，且对人体不会造成危害。具体实施例方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。实施例一一种硅芯腐蚀工艺，包括以下工艺步骤(1)硅芯腐蚀选取长度为2000mm、直径为8mm的硅芯，将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡10 分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0. 5%的双氧水，碱溶液的温度为60°C ；所述碱溶液的组份为氢氧化钾300g/L、氟化钠40g/L，其余为水；(2)一级漂洗将经步骤(1)处理后的硅芯放入纯水中漂洗5分钟以去除碱溶液；(3)中和将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液，浸泡时间为2分钟，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为10% ；(4)二级漂洗将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5分钟以去除氢氟酸溶液；(5)洁净将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡30分钟，纯水的温度为 60 0C ；(6)烘干将硅芯置于70°C的烘箱中烘干，烘干时间为60分钟。实施例二 一种硅芯腐蚀工艺，包括以下工艺步骤(1)硅芯腐蚀选取长度为2200mm、直径为12mm的硅芯，将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡 20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为1%的双氧水，碱溶液的温度为50°C ；所述碱溶液的组份为氢氧化钾350g/L、氟化钠50g/L，其余为水；(2)一级漂洗将经步骤(1)处理后的硅芯放入纯水中漂洗10分钟以去除碱溶液；(3)中和将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液，浸泡时间为3分钟，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为5% ；(4)二级漂洗将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗10分钟以去除氢氟酸溶液；(5)洁净将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡50分钟，纯水的温度为 50 0C ；(6)烘干将硅芯置于80°C的烘箱中烘干，烘干时间为30分钟。实施例三一种硅芯腐蚀工艺，包括以下工艺步骤(1)硅芯腐蚀选取长度为2100mm、直径为IOmm的硅芯，将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡 15分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0. 8%的双氧水，碱溶液的温度为55°C ；所述碱溶液的组份为氢氧化钾320g/L、氟化钠45g/L，其余为水；(2)一级漂洗将经步骤(1)处理后的硅芯放入纯水中漂洗8分钟以去除碱溶液；(3)中和将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液，浸泡时间为2. 5分钟，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为8% ；(4)二级漂洗将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗8分钟以去除氢氟酸溶液；(5)洁净将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡40分钟，纯水的温度为 55 0C ；(6)烘干将硅芯置于75°C的烘箱中烘干，烘干时间为45分钟。权利要求1. 一种硅芯腐蚀工艺，其特征是，包括以下工艺步骤(1)硅芯腐蚀选取长度为200(T2200mm、直径为8 12mm的硅芯，将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡1(Γ20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0. 5^1%的双氧水，碱溶液的温度为 50^600C ；所述碱溶液的组份为氢氧化钾30(T350g/L、氟化钠4(T50g/L ；(2)一级漂洗将经步骤(1)处理后的硅芯放入纯水中漂洗5 10分钟以去除碱溶液；(3)中和将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液，浸泡时间为2 3分钟，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为5 10% ；(4)二级漂洗将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5 10分钟以去除氢氟酸溶液；(5)洁净将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡3(Γ50分钟，纯水的温度为 50^600C ；(6)烘干将硅芯置于7(T80°C的烘箱中烘干，烘干时间为3(Γ60分钟。全文摘要本专利技术涉及一种硅芯腐蚀工艺，特征是，包括以下工艺步骤(1)将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡10~20分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为0.5~1%的双氧水，碱溶液的温度为50~60℃；(2)一级漂洗将硅芯放入纯水中漂洗5~10分钟以去除碱溶液；(3)中和将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液；(4)二级漂洗将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗5~10分钟以去除氢氟酸溶液；(5)洁净将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡30~50分钟；(6)烘干将硅芯置于烘箱中烘干。本专利技术的优点是本专利技术所述方法的成本只有酸腐蚀的一半，且腐蚀液可反复使用；不会产生氮化物污染环境，且对人体不会造成危害。文档编号C30B33/10GK102206822SQ20111013782公开日2011年10月5日 申请日期2011年5月26日 优先权日2011年5月26日专利技术者周大荣 申请人:无锡中彩科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种硅芯腐蚀工艺，其特征是，包括以下工艺步骤：（１）硅芯腐蚀：选取长度为２０００～２２００ｍｍ、直径为８～１２ｍｍ的硅芯，将硅芯浸泡于碱溶液中浸泡１０～２０分钟，在浸泡时加入质量百分浓度为０．５～１％的双氧水，碱溶液的温度为５０～６０℃；所述碱溶液的组份为：氢氧化钾３００～３５０ｇ／Ｌ、氟化钠４０～５０ｇ／Ｌ；（２）一级漂洗：将经步骤（１）处理后的硅芯放入纯水中漂洗５～１０分钟以去除碱溶液；（３）中和：将经一级漂洗后的硅芯放入氢氟酸溶液中浸泡以中和残余的碱溶液，浸泡时间为２～３分钟，所述氢氟酸溶液的质量百分浓度为５～１０％；（４）二级漂洗：将经中和处理后的硅芯置于纯水中漂洗５～１０分钟以去除氢氟酸溶液；（５）洁净：将经二级漂洗后的硅芯放入用蒸汽加热的纯水中浸泡３０～５０分钟，纯水的温度为５０～６０℃；（６）烘干：将硅芯置于７０～８０℃的烘箱中烘干，烘干时间为３０～６０分钟。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周大荣，
申请(专利权)人：无锡中彩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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