一种SiCl4气体加热装置制造方法及图纸

一种SiCl4气体加热装置，设有炉体，炉体上设有进气口和出气口，在炉体内壁上设有电加热排，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱与中间层换热柱之间设有内加热筒，在炉体内的顶部设有循环风机。外层换热柱与炉体内壁之间为气流下行通道，相邻换热柱之间为气流上行通道，循环风机设有与气流上行通道相对的吸风口，在循环风机的四周设有与气流下行通道相对应的导流板，炉体底部设有导流道。采用间接加热方式，并通过循环风机强制内循环，加热均匀，炉体不再与SiCl4气体直接接触，对设备腐蚀少，气体流动性好，无加热死角，设备使用寿命长，投资少。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多晶硅生产技术，特别是一种SiCl4气体加热装置。
技术介绍
多晶硅生产过程中，SiCl4气化后加热处理，现有技术中，是在炉内采用电阻丝直接加热，其不足之处在于对设备要求高，容易腐蚀，有安全隐患；而且气体在炉内流动有死角，造成局部过热，容易烧断电阻丝。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种对设备腐蚀少、气体流动性好的SiC14气体加热装置。本技术要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，一种SiC14气体加热装置，其特点是设有炉体，炉体上设有进气口和出气口，在炉体内壁上设有电加热排，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱与中间层换热柱之间设有内加热筒，在炉体内的顶部设有循环风机。本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，外层换热柱与炉体内壁之间的空腔设置为气流下行通道，相邻换热柱之间的空腔设置为气流上行通道，循环风机设有与气流上行通道相对的吸风口，在循环风机的四周设有与气流下行通道相对应的导流板，在炉体底部设有气流下行通道至气流上行通道之间的导流道。本技术要解本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＳｉＣｌ４气体加热装置，其特征在于：设有炉体，炉体上设有进气口和出气口，在炉体内壁上设有电加热排，炉体内设有与进气口和出气口相连接的换热盘管，换热盘管呈螺旋状盘绕成内、中、外三层换热柱，在内层换热柱与中间层换热柱之间设有内加热筒，在炉体内的顶部设有循环风机。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岗，周大荣，孙建荣，蒋敏，孙兵，
申请(专利权)人：连云港中彩科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32