【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，为了进一步兼顾半导体元件的高密度化和电极端子的多引脚化，力图使半导体元件的电极端子实现窄间距化，力图使面积缩小。通常，在倒装芯片安装中，在LSI等半导体元件的电极端子上形成焊料凸点等突起电极，将该半导体元件通过面朝下与安装基板的连接端子进行压接、加热以进行凸点连接，由此进行安装。但是，由于窄间距化的进展显著，因此，在像以往那样将电极端子配置于外围的方法中，有时在电极端子之间发生短路，或因半导体元件和安装基板的热膨胀系数之差而发生连接不良等。因此，采用了通过将电极端子配置成区域状、来扩大电极端子之间的间距的方法，但是，近年来，即使是区域配置，窄间距化的进展也很显著。作为形成焊料凸点的方法，采用了如下工艺通过丝网印刷、涂布机、电镀在电极上形成焊料，之后，通过利用回流炉加热至焊料熔点以上，形成突起状的焊料凸点。但是，近年来，由于焊料接合部的间距进一步变窄，半导体元件、基板电极之间的间隙也进一步变小，因此，引起了如下问题在倒装芯片安装时的加热工序中，熔融的焊料变形，因焊料的表面张力而导致发生焊料凸点彼此连接的焊料桥接的不良情况。作为...
【技术保护点】
１．一种半导体装置，该半导体装置通过焊料将电子元器件的电极、和与该电极相对配置的电路基板的电极相接合，其特征在于，至少一个电极组通过两个以上的焊料接合体相接合，所述电极组是将所述电子元器件的电极和所述电路基板的电极相对配置而成的。
【技术特征摘要】
2010.03.29 JP 2010-0744921.一种半导体装置，该半导体装置通过焊料将电子元器件的电极、和与该电极相对配置的电路基板的电极相接合，其特征在于，至少一个电极组通过两个以上的焊料接合体相接合，所述电极组是将所述电子元器件的电极和所述电路基板的电极相对配置而成的。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电极组有多个，具有最大相对间隔的所述电子元器件的电极和所述电路基板的电极、通过两个以上的所述焊料接合体相接合。3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括对电子元器件的多个电极的至少一个电极赋予两个以上的焊料粒子的工序；将所述电子元器件的电极与电路基板的电极相对配置的工序；使赋予所述电子元器件的电极表面的焊料粒子与所述电路基板的电极相抵接的工序；以及加热所述焊料粒子的工序，所述电子元器件的电极和所述电路基板的电极、通过所述焊料粒子熔融生成的两个以上的焊料接合体来进行电连接。4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括对电路基板的多个电极的至少一个电极赋予两个以上的焊料粒子的工序；将所述电路基板的电极与电子元器件的电极相对配置的工序；使赋予所述电路基板的电极表面的焊料粒子与所述电子元器件的电极相抵接的工序；以及加热所述焊料粒子的工序，所述电路基板的电极和所述电子元器件的电极、通过所述焊料粒子熔融生成的两个以上的焊料接合体来进行电连接。5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括对电子元器件的多个电极的至少一个电极赋予两个以上的第一焊料粒子的工序；对电路基板的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井大辅，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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