【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电阻蒸发镀膜机。
技术介绍
在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间(或决定于装料量)，并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均勻性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0. 1 0. 2 电子伏。蒸发源有三种类型。①电阻加热源用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状，通以电流，加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质，电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、 Cr、Au、M等材料。②高频感应加热源用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源适用于蒸发温度较高的材料，即用电...
【技术保护点】
１．电阻蒸发镀膜机的改进结构，包括工件架底座（１），所述工件架底座（１）上设有蒸发电极杆支架（４），所述蒸发电极杆支架（４）之间连接有蒸发电极杆（５），其特征在于：所述蒸发电极杆支架（４）上转动连接有上挡板（６）。
【技术特征摘要】
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