四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺制造技术

四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺，本发明专利技术之四氯化硅氢化炉U形发热 体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维 针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气 相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热 体材料密度≥1.3g/cm3；表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。本发明专利技术之四氯化硅氢 化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好，使用寿命长，可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氢化炉u形发热体及其制造工艺，尤其是涉及一种碳—碳复合 材料四氯化硅氢化炉u形发热体及其制造工艺。
技术介绍
氢化炉是氯硅烷循环利用的关键设备，是高效节能、环境友好闭环、生产高纯 多晶硅的重要保证。1955年，西门子公司成功开发利用H2还原SiHCl3，在硅芯发热体上沉积生产 多晶硅。多晶硅生产中排放的尾气主要含有SiH4、 SiH2Cl2、氢气、氯化氢及未还原 的SiHCL，这些尾气必须处理。处理方法主要是采用氢化炉进行氢化还原，使尾气 中的S迅、Si恥l2成为SiHCl3，再进入生产系统循环利用，实现全闭环循环，这样， 既充分利用了资源，又消除了四氯化硅和氯化氢在环境中的排放，节能降耗，避免 了对环境的污染。氢化炉是实现尾气处理和循环利用的重要设备。现有氢化炉热场主要部件由加 热器、内保温筒和外保温筒构成。加热器一般由18-24个发热体构成，发热体呈U 字形，每6个发热体串联为一组，连接为三角形或星形；也有每3个发热体串联、 再两串并联成为一组，然后3组连成三角形或星形，无论怎样连接，3相电阻值要 求均衡。U形发热体是氢化炉的核心部件。由于发热体总是在高温与腐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四氯化硅氢化炉Ｕ形发热体，其特征在于，由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的５０％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的３０％；发热体材料密度≥１．３ｇ／ｃｍ↑［３］表面碳化硅涂层厚度为１０－１００μｍ。

【技术特征摘要】
1、一种四氯化硅氢化炉U形发热体，其特征在于，由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成，所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成，重量不低于产品总重量的50％；所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成，其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30％；发热体材料密度≥1.3g/cm3表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。2、 根据权利要求1所述的四氯化硅氢化炉U形发热体，其特征在于，化学气 相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的20%。3、 根据权利要求1所述的四氯化硅氢化炉U形发热体，其特征在于，表面碳 化硅涂层是原位生成的碳化硅绝缘层。4、 根据权利要求1或2或3所述的四氯化硅氢化炉U形发热体，其特征在于， 表面碳化硅涂层厚度为15—20ym。5、 根据权利要求1或2或3所述的四氯化硅氢化炉U形发热体，其特征在于， 所述碳纤维为聚丙烯腈碳纤维。6、 一种如权利要求1-5之一所述的四氯化硅氢化炉U形发热体的制造工艺， 其特征在于，包括以下步骤(1)用二维碳纤维织物叠层或三维针刺碳纤维毡体 制成坯体，将坯体展平铺在U形胎模上，压縮成型，压縮后的坯体密度应当75/cm3' ; (2)将...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋建纯，张弛，张新万，吕国平，陈志军，蒋立志，
申请(专利权)人：蒋建纯，张弛，张新万，吕国平，陈志军，蒋立志，
类型：发明
国别省市：43