用于将四氯化硅转换成三氯硅烷的装置及方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于将四氯化硅转换成三氯硅烷的装置及方法
本专利技术一般而言涉及用于氯硅烷的氢化的装置及方法。更特定而言，在某些实施例中，本专利技术涉及用于将四氯化硅(STC)转换成三氯硅烷(TCS)的装置及方法。本专利申请案主张皆于2011年6月21日提出申请的美国临时专利申请案第61/499,451号及美国临时专利申请案第61/499,461号的权益，该等申请案的揭示内容由此以其全文引用方式并入本文中。
技术介绍
化学气相沉积(CVD)反应器用以产生用于基于硅的太阳能晶圆及电池中的关键原材料的多结晶硅(多晶硅)。多晶硅亦用以制作用于微电子应用的半导体晶圆。用于产生多晶硅的最广泛使用的方法是西门子反应器制程，其已存在达约五十年之久。在此制程中，将高温多晶硅棒放置于一反应器中，且使三氯硅烷(TCS)气体在此等棒上方经过。气体中的硅沉积于该等棒上，且当该等棒生长得足够大时，将其自该反应器移除。最终产物呈多晶硅棒或多晶硅块的形式，其可被进一步处理成锭，接着切成制成太阳能电池(举例而言)的晶圆。用于制造多晶硅的基于CVD的西门子制程产生大量副产物四氯化硅(STC)。举例而言，针对所产生...
【技术保护点】
一种用于氯硅烷的氢化的装置，该装置包括：一热交换器，其经组态以在一反应物气体与一产物气体之间交换热，其中该反应物气体包括氢及氯硅烷；一环形加热区，其经组态以自该热交换器接收该反应物气体，该加热区包括经组态用于与该反应物气体直接接触以经由对流热传递产生一经加热反应物气体的一加热组件；及一反应室，其经组态以将该经加热反应物气体转换成该产物气体，其中该加热组件围绕该反应室具有一环形构形。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.21 US 61/499,451;2011.06.21 US 61/499,4611.一种用于氯硅烷的氢化的装置，该装置包括：一热交换器，其经组态以在一反应物气体与一产物气体之间交换热，其中该反应物气体包括氢及氯硅烷；一环形加热区，其经组态以自该热交换器接收该反应物气体，该加热区包括具有一环形构形且经组态用于与该反应物气体直接接触以经由对流热传递产生一经加热反应物气体的一加热组件；及一反应室，其经组态以自该环形加热区接收该经加热反应物气体且将该经加热反应物气体转换成该产物气体，其中该加热组件围绕该反应室具有一环形构形，其中该加热组件的一热传递面积与可用于流过该环形加热区的一剖面面积的一比率是大于50。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该装置包括装纳该热交换器、该环形加热区及该反应室的一容器。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，该装置进一步包括该环形加热区与该容器的一壁之间的绝缘物，且其中该装置进一步包括该热交换器与该容器的该壁之间的绝缘物。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，该环形加热区位于该绝缘物与该反应室之间。5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，该热交换器包括多个热交换器区块。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，该多个热交换器区块中的每一个涂布有碳化硅(SiC)、碳化锆(ZrC)、碳化铪(HfC)、碳化钽(TaC)、碳化钛(TiC)、碳化铌(NbC)、氧化铪(...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·法伦布鲁克，B·黑兹尔坦，A·施魏恩，S·斯金纳，
申请(专利权)人：GTAT公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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