一种四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法技术

本发明专利技术公开了一种四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法，固体原料包括硅粉和催化剂，包括以下步骤：a）将硅粉与催化剂进行混合，得到常压混合物料；b）将常压混合物料提供至计量罐内以计量预定量的常压混合物料，并通过气压调节装置对计量罐内的常压混合物料进行加压，使其压力大于等于四氯化硅氢化反应器内的压力，得到加压的混合物料；c）将加压的混合物料加入四氯化硅氢化反应器中进行反应；d）通过气压调节装置调节计量罐内的气压以使计量罐内的气压小于等于常压以接收常压混合物料，实现连续供料。根据本发明专利技术的方法，通过对固体原料进行加压，将固体原料从气压较低的储料罐输送至气压较高的四氯化硅氢化反应器中，实现连续供料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅制备
，更具体地，本专利技术涉及。
技术介绍
多晶硅生产过程中产生的大量的副产物四氯化硅，直接排放会严重污染环境。如何安全处理四氯化硅已成为制约多晶硅行业发展的“瓶颈”。目前，四氯化硅冷氢化技术解决了多晶硅副产物的问题。四氯化硅冷氢化技术是在一定的温度、压力下，四氯化硅、氢气以及硅粉和粉末状触媒加入反应器中，将四氯化硅转化为多晶硅生产的原料三氯氢硅，实现了物料的循环利用。由于冷氢化技术运行压力较高，一般在2. 0-3. 5MPa下运行，而固体物料硅粉及触媒需要从低压装置中加入到高压运行的反应器中，压差较大，而且在高温高压、易燃易爆的工况·下，使得该固体物料加入反应器非常困难。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种实施简单、供料方便、安全性高的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法。根据本专利技术实施例的四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法，所述固体原料包括硅粉和催化剂，包括以下步骤a)将所述硅粉与所述催化剂进行混合，得到常压混合物料山)将所述常压混合物料提供至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四氯化硅氢化反应的固体原料的连续供料方法，所述固体原料包括硅粉和催化剂，其特征在于，包括以下步骤：a）将所述硅粉与所述催化剂进行混合，得到常压混合物料；b）将所述常压混合物料提供至计量罐内以计量预定量的常压混合物料，并通过气压调节装置对所述计量罐内的常压混合物料进行加压，使其压力大于等于四氯化硅氢化反应器内的压力，得到加压的混合物料；c）将所述加压的混合物料加入四氯化硅氢化反应器中进行反应；d）通过所述气压调节装置调节所述计量罐内的气压以使所述计量罐内的气压小于等于常压以接收所述常压混合物料，从而实现连续供料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张升学，严大洲，肖荣晖，毋克力，汤传斌，杨永亮，万烨，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：