防水密封引线框架制造技术

技术编号:6530783 阅读:208 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了TO220B-5L防水密封引线框架,其使得引线框架与塑胶的结合强度高、防水性好。其包括散热固定部、芯片底部基岛、外引脚,所述芯片底部基岛的中心安装芯片,其特征在于:所述芯片底部基岛的中心四周开有V型挡水槽,所述芯片底部基岛的V型挡水槽外侧的四周开有凹凸槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件封装的
,具体为防水密封引线框架
技术介绍
现有的T0220B-5L密封引线框架,芯片与引线框架的芯片部基片装配到位后进行塑封,由于芯片底部基岛的四周是平面,故引线框架与塑胶的结合强度低,防水性差。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供了防水密封引线框架,其使得引线框架与塑胶的结合强度高、防水性好。防水密封引线框架,其技术方案是这样的其包括散热固定部、芯片底部基岛、外引脚,所述芯片底部基岛的中心安装芯片,其特征在于所述芯片底部基岛的中心四周开有 V型挡水槽,所述芯片底部基岛的V型挡水槽外侧的四周开有凹凸槽。其进一步特征在于所述芯片底部基岛的中心四周的所述V型挡水槽相互连通形成一个闭合空间;所述芯片底部基岛的中心四周的所述凹凸槽相连通形成一个闭合空间; 所述凹凸槽具体为任意两个相邻的凹槽的中间部分不挖槽而组合形成的结构。采用本专利技术的上述结构后,芯片安装在芯片部基岛的中心后,由于凹凸槽的存在, 塑封后的引线框架与塑胶的结合强度高、防水性好,由于V型挡水槽的存在,进一步确保了防水性。附图说明图1是本专利技术结构示意图2是图1的A-A剖结构示意放大图; 图3是图2的B-B剖结构示意放大图。具体实施例方式见图1、图2、图3,其包括散热片固定部1、芯片底部基岛2、外引脚3,芯片底部基岛2的中心安装芯片(图中未画出,属于现有成熟结构),芯片底部基岛2的中心的四周开有 V型挡水槽4,芯片底部基岛2的位于V型挡水槽4外部的四周开有凹凸槽5,四周的V型挡水槽4相连通形成一个闭合空间;四周的凹凸槽5相连通形成一个闭合空间,凹凸槽5具体为任意两个相邻的凹槽6的中间部分不挖槽而组合形成的结构。其中T0220B-5L为引线框的型号。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.TO220B-5L防水密封引线框架,其包括散热固定部、芯片底部基岛、外引脚,所述芯片底部基岛的中心安装芯片,其特征在于:所述芯片底部基岛的中心四周开有V型挡水槽,所述芯片底部基岛的V型挡水槽外侧的四周开有凹凸槽。

【技术特征摘要】
1.T0220B-5L防水密封引线框架,其包括散热固定部、芯片底部基岛、外引脚,所述芯片底部基岛的中心安装芯片,其特征在于所述芯片底部基岛的中心四周开有V型挡水槽,所述芯片底部基岛的V型挡水槽外侧的四周开有凹凸槽。2.根据权利要求1所述的T0220B-5L防水密封引线框架,其特征在于所述芯片底部基岛的中心四周的所述V型...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯友良
申请(专利权)人:无锡红光微电子有限公司
类型:发明
国别省市:32

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