一种金属纳米晶的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种金属纳米晶的制备方法。本发明专利技术方法，具体包括：（1）对单晶硅片进行标准化清洗；（2）在单晶硅衬底上生长一层绝缘介质薄膜；（3）在绝缘介质薄膜上淀积一层超薄金属层；（4）在超薄金属层上淀积一层超薄绝缘介质薄膜；（5）在真空或惰性气氛中，高温退火处理。此制备方法与现行CMOS工艺兼容，操作简单，可控性较好，能够获得密度高达1012cm-2数量级的金属纳米晶。制备的金属纳米晶适用于金属纳米晶闪存器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体存储器
，具体涉及，适用于金属纳米晶快闪存储器件。
技术介绍
在纳米晶非挥发存储器领域，主要有半导体纳米晶和金属纳米晶两类存储器，其中金属纳米晶由于其在费米能级附近具有更高的态密度、与沟道有更好的耦合作用、金属功函数可选择范围大等优点而备受青睐[1]。而高密度金属纳米晶的获得是制备高性能金属纳米晶存储器的关键。因此，本专利技术提供一种制备高密度金属纳米晶的方法，该技术与传统的存储器制造工艺相兼容。并且，制备过程中所涉及到的热工艺温度相对较低，可控性好，成本较低，产品良率较高。参考文献 Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, Ε. C. Kan, Metal nanocrystal memories I : Device design and fabrication, IEEE Trans. Elec. Dev. 49, 9 (2002).。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种与传统的存储器制造工艺相兼容，并且，可控性好、成本低、产品良率的制备金属纳米晶的方法。本专利技术提出的制备金属纳米晶的方法，是在高介电常数介质(本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种金属纳米晶的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（１）对单晶硅片进行清洗；（２）在单晶硅衬底上生长一层绝缘介质薄膜；（３）在绝缘介质薄膜上淀积一层超薄金属层；（４）在超薄金属层上淀积一层超薄绝缘介质薄膜；（５）在真空或惰性气氛中，高温退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种金属纳米晶的制备方法，其特征在于包括如下步骤(1)对单晶硅片进行清洗；(2)在单晶硅衬底上生长一层绝缘介质薄膜；(3)在绝缘介质薄膜上淀积一层超薄金属层；(4)在超薄金属层上淀积一层超薄绝缘介质薄膜；(5 )在真空或惰性气氛中，高温退火处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述单晶硅衬底上的绝缘介质薄膜材料为SiO2，或者为高介电常数介质Α1203、Η 2或La2O3,或者为由它们之中的任两种或三种不同材料组成的叠层；该绝缘介质薄膜的总厚度为3 8纳米。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述超薄金属层的材料是单一金属Ru、Pd或Ni，或者是多元金属斤让一或⑶附；该超薄金属层的厚度为2 3纳米。4.根据权利要求1所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁士进，陈红兵，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31