【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体存储器
,具体涉及,适用于金属纳米晶快闪存储器件。
技术介绍
在纳米晶非挥发存储器领域,主要有半导体纳米晶和金属纳米晶两类存储器,其中金属纳米晶由于其在费米能级附近具有更高的态密度、与沟道有更好的耦合作用、金属功函数可选择范围大等优点而备受青睐[1]。而高密度金属纳米晶的获得是制备高性能金属纳米晶存储器的关键。因此,本专利技术提供一种制备高密度金属纳米晶的方法,该技术与传统的存储器制造工艺相兼容。并且,制备过程中所涉及到的热工艺温度相对较低,可控性好,成本较低,产品良率较高。参考文献 Z. Liu, C. Lee, V. Narayanan, G. Pei, Ε. C. Kan, Metal nanocrystal memories I : Device design and fabrication, IEEE Trans. Elec. Dev. 49, 9 (2002).。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种与传统的存储器制造工艺相兼容,并且,可控性好、成本低、产品良率的制备金属纳米晶的方法。本专利技术提出的制备金属纳米晶的方法,是在高介电常数介质(如Al203、La203等)或者二氧化硅(SiO2)薄膜表面生长高密度金属纳米晶的制备方法。具体通过依次淀积金属和介质薄膜,然后进行后退火处理,在相对较低的温度条件下,获得高密度金属纳米晶。本专利技术中所有工艺步骤与标准CMOS工艺相兼容,不需要引入新的设备,因此可确保存储器的低制造成本。本专利技术提出的在高介电常数介质薄膜或者二氧化硅薄膜表面淀积高密度金属纳米晶的制备方法,具 ...
【技术保护点】
1.一种金属纳米晶的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)对单晶硅片进行清洗;(2)在单晶硅衬底上生长一层绝缘介质薄膜;(3)在绝缘介质薄膜上淀积一层超薄金属层;(4)在超薄金属层上淀积一层超薄绝缘介质薄膜;(5)在真空或惰性气氛中,高温退火处理。
【技术特征摘要】
1.一种金属纳米晶的制备方法,其特征在于包括如下步骤(1)对单晶硅片进行清洗;(2)在单晶硅衬底上生长一层绝缘介质薄膜;(3)在绝缘介质薄膜上淀积一层超薄金属层;(4)在超薄金属层上淀积一层超薄绝缘介质薄膜;(5 )在真空或惰性气氛中,高温退火处理。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述单晶硅衬底上的绝缘介质薄膜材料为SiO2,或者为高介电常数介质Α1203、Η 2或La2O3,或者为由它们之中的任两种或三种不同材料组成的叠层;该绝缘介质薄膜的总厚度为3 8纳米。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于所述超薄金属层的材料是单一金属Ru、Pd或Ni,或者是多元金属斤让一或⑶附;该超薄金属层的厚度为2 3纳米。4.根据权利要求1所述的制...
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