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本发明属于半导体存储器技术领域，具体涉及一种金属纳米晶的制备方法。本发明方法，具体包括：（1）对单晶硅片进行标准化清洗；（2）在单晶硅衬底上生长一层绝缘介质薄膜；（3）在绝缘介质薄膜上淀积一层超薄金属层；（4）在超薄金属层上淀积一层超薄绝缘...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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