发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件。在一个实施例中，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层。第一导电类型半导体层包括多个沟槽。沿着沟槽形成有源层。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光器件。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。近年来，随着LED的亮度逐渐地增加，越来越多地将LED用作用于显示器的光源、用于车辆的光源以及用于照明系统的光源。通过使用荧光材料或者组合发射三原色的单个LED，可以实现发射白光和具有优异的效率的LED。LED的亮度取决于各种条件，诸如有源层的结构、能够有效地将光提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片大小以及包封LED的成型构件的类型。
技术实现思路
实施例提供具有新颖的结构的发光器件及其制造方法以及发光器件封装。实施例还提供基于具有优异的结晶性能的氮化物半导体材料的发光器件及其制造方法以及发光器件封装。实施例还提供能够减少泄露电流的发光器件和其制造方法以及发光器件封装。在一个实施例中，发光器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层。该第一导电类型半导体层包括多个沟槽。所述有源层沿着沟槽形成。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层，其中所述第一导电类型半导体层包括多个沟槽，其中所述有源层沿着所述沟槽形成，并且其中与所述第二导电类型半导体层相邻的所述抗电流泄漏层的表面是平坦的。

【技术特征摘要】
2010.02.18 KR 10-2010-00144371.一种发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层，其中所述第一导电类型半导体层包括多个沟槽，其中所述有源层沿着所述沟槽形成，并且其中与所述第二导电类型半导体层相邻的所述抗电流泄漏层的表面是平坦的。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中朝着所述第一导电类型半导体层的内部所述沟槽的平面面积逐渐地减少。3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述沟槽具有在一个方向上伸长的V形状、圆锥形、以及多角锥形中的一个。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中沿着所述沟槽形成与所述第一导电类型半导体层相邻的所述有源层的第一表面，并且沿着所述沟槽形成与所述抗电流泄漏层相邻的所述有源层的第二表面。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中沿着所述沟槽形成与所述第一导电类型半导体层相邻的所述有源层的第一表面，并且与所述抗电流泄漏层相邻的所述有源层的第二表面是平坦的。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述抗电流泄漏层具有大于所述有源层的带隙的带隙。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述抗电流泄漏层包括至少一个第一和第二抗电流泄漏层，并且其中所述第一抗电流泄漏层包括InxAlyGai_x_yN(0 < χ ≤ 0. 03,0 <y < 1，0 < x+y < 1)，并且所述第二抗电流泄漏层具有其中重复地堆叠AlGaN层和GaN层的堆叠结构的超晶格结构。8.根据权利要求1所述的发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙孝根，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR