【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制备
，具体的说是一种具有新型结构的高亮度发 光二极管晶粒。
技术介绍
发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。它是由一个PN结构 成，具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区 注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发 辐射的荧光。发光亮度是发光二极管发光性能的一个重要参数，发光体表面亮度等于发光体表 面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量。现有技术制造的发光二极管其发光亮 度有待进一步的提高。
技术实现思路
本技术的目的就是为了克服上述现有技术的不足之处，而提供一种具有新型 结构的高亮度发光二极管晶粒，能有效提高发光二极管的发光亮度。本技术的目的是通过如下技术措施来实现的一种高亮度发光二极管晶粒， 包括N面电极、N型掺杂层、P型掺杂层、衬底层和P面电极层，其所述N型掺杂层的边缘设 有内圆倒角。在上述技术方案中，所述高亮度发光二极管晶粒截面呈梯形。本技术的有益效果在于，利用化学方法在N型掺杂层的边缘形成内圆倒角， 增加发光区的面积，从而提高发光二极管...
【技术保护点】
一种高亮度发光二极管晶粒，包括Ｎ面电极、Ｎ型掺杂层、Ｐ型掺杂层、衬底层和Ｐ面电极层，其特征在于：Ｎ型掺杂层的边缘设有内圆倒角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡泰祥，
申请(专利权)人：元茂光电科技武汉有限公司，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]
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