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本实用新型涉及半导体制备技术领域，提供一种具有新型结构的高亮度发光二极管晶粒，包括Ｎ面电极、Ｎ型掺杂层、Ｐ型掺杂层、衬底层和Ｐ面电极层，其所述Ｎ型掺杂层的边缘设有内圆倒角。本实用新型利用化学方法在Ｎ型掺杂层的边缘形成内圆倒角，增加发光区的面...
该专利属于元茂光电科技（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过元茂光电科技（武汉）有限公司授权不得商用。

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