【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法。具体地说是一种用于防止三明治结构MEMS电容式压力传感器制作工艺过程中灰尘、水对电容间隙污染的工艺方法。属于MEMS电容式压力传感器制作
技术介绍
在玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三层结构组成的三明治结构硅MEMS电容压力传感器的制作工艺过程中的灰尘和水是影响该传感器的可靠性和成品率的主要因素。工艺过程中的灰尘和水会通过导气孔进入电容间隙，而进入电容间隙的灰尘和水，很难在完成工艺后去除。进而影响硅电容式压力传感器的可靠性和成品率。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法。其目的旨在玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三层硅电容式压力传感器制作工艺过程中阻止灰尘、水进入电容间隙。本专利技术的技术解决方案其特征是在MEMS电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助侧墙，用于阻止在工艺过程中灰尘、水进入电容间隙，辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。本专利技术的优点由于在导气孔前引入辅助侧墙，有效地阻止了在工艺过程中灰尘、 水进入电容间隙，由于在辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。从而提高了硅电容式压力传感器的可靠性和成品率。附图说明图1是硅电容式压力传感器侧墙与芯片脱离前剖视图。图2是硅电容式压力传感器侧墙与芯片脱离后剖视图。图3是底层玻璃及其上电极示意图...
【技术保护点】
１．一种用于玻璃－硅－玻璃或硅－硅－玻璃三明治结构的ＭＥＭＳ电容式压力传感器侧墙保护方法，其特征是在玻璃－硅－玻璃或硅－硅－玻璃三明治结构的ＭＥＭＳ电容式压力传感器制作过程中，在导气孔前引入辅助侧墙，用于阻止灰尘、水进入电容间隙，辅助侧墙与底层玻璃之间设置氮化硅薄膜，防止辅助侧墙与底层玻璃键合，使在芯片分离后，侧墙自动脱离芯片。
【技术特征摘要】
1. 一种用于玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器侧墙保护方法，其特征是在玻璃-硅-玻璃或硅-硅-玻璃三明治结构的MEMS电容式压力传感器...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱健，贾世星，侯智昊，吴璟，黄镇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：84
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