用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米ＳｉＯ２磨料，磨料的浓度为２０～４０ｗｔ％，粒径１５～３０ｎｍ，以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的ｐＨ值１０～１２，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性。制备过程中采用负压搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可以达到超净的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光
，更具体地说，是涉及一种用于铌酸锂光学 晶片研磨抛光的抛光液。
技术介绍
铌酸锂是应用于电子、微电子、光电子领域的一类基础材料，是一种具有铁 电、压电、热电、电光、声电和光折变效应等多种性质的功能材料，具有优良的电压、 电-光、非线性光学特性。随着光电子技术的发展，新型高性能、高精密、高集成的光电子系统不断涌 现，材料表面加工质量作为主要参数，尤其是平整度，粗糙度和洁净度直接影响器件质 量，为适应光电子迅速发展的需要，对晶体表面的完整性及精度提出了严格要求，即表 面无缺陷、无变质层，表面超光滑。目前，铌酸锂晶片抛光方面的研究报道不多，尚缺乏专门针对铌酸锂结构性能 特点的加工技术的报导，铌酸锂晶片的实际生产中往往存在加工效率和成品率低、表面 划伤难以控制、加工质量难以控制等问题。因此，研究铌酸锂的抛光加工特性，开展铌 酸锂单晶深加工技术，即超光滑无损伤表面抛光加工技术研究，对于开发大直径铌酸锂 晶片，进一步提高硬脆材料精密与超精密加工水平，促进光电子产业的发展有着深远的 意义。这其中关键是制备出高性能抛光液，避免采用机械搅拌引入大量的有机物、金属 离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法，其特征在于，按照以下步骤进行（重量％）：（１）将密闭反应器系统用去离子水负压涡流下清洗三遍；密闭反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲脂；（２）在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节ｐＨ值，加入胺碱的量为１－５％，无机强碱试剂用１８ＭΩ以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，加入无机强碱的量为０．１－１％；ｐＨ值调节为９－１３；（３）在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的ＦＡ／Ｏ活性剂，加入ＦＡ／Ｏ活性剂的量为０．２５－２％；持续时间１５分钟；（４）在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的ＦＡ／Ｏ螯...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉岭，檀柏梅，胡轶，
申请(专利权)人：天津晶岭微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：12