【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于在半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物
，特别涉及一种 高稳定性的硅晶片化学机械抛光组合物。以及具有多次抛光稳定抛光去除能力。
技术介绍
半导体硅衬底用抛光液是IC制造工业前端制程的关键耗材，是硅单晶抛光片的 重要配套材料，目前国产抛光液由于质量不稳定，关键性能参数不达标，0. ιμπι节点以下集 成电路用大尺寸单晶抛光液基本依赖进口。根据《半导体硅片用抛光液行业调研报告》，预 计到2011年国内硅片抛光液用量在1000吨左右。众所周知，硅衬底抛光用抛光液的组成主要由二氧化硅溶胶磨料、碱性腐蚀剂和 其它助剂组成。但由于磨料的粒径、稳定性、分散度和PH值的不同；各种腐蚀剂的去除能 力、助剂的选择和用量及稳定性的不同，造成硅片抛光液的整体抛光性能的巨大差异。抛光 液的PH值是影响抛光速率的重要参数，一般而言，硅衬底的抛光加工采用碱性抛光液，ρΗ 通常在10. 0 12. 0之间具有较好的去除速率。但抛光液在储存和抛光使用的过程中，都 会伴随有PH值的下降，特别是在抛光后下降幅度更大。因此，抛光液的ρΗ值是否稳定是衡 量抛光液稳定性的重要参数，通...
【技术保护点】
一种用于硅晶片抛光的抛光组合物，其特征在于该抛光组合物各组分及其含量为： 二氧化硅磨粒：０．５～５０ｗｔ％； 含硅稳定剂：０．０１～１０ｗｔ％； 有机碱腐蚀剂：０．０１～２０ｗｔ％； 有机酸螯合剂：０．０１～１０ｗｔ％； 其它功能助剂：０．０１～５．０ｗｔ％； 去离子水：余量； 所述含硅稳定剂为有机硅化合物，其结构式为： Ｙ（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＳｉＸ↓［１］Ｘ↓［２］Ｘ↓［３］ 其中，ｎ为整数，Ｘ↓［１］、Ｘ↓［２］和Ｘ↓［３］为可水解的基团；Ｙ为有机官能团；其中，Ｘ↓［１］、Ｘ↓［２］和Ｘ↓［３］分别独立的表示氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、乙酰...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘国顺，李拓，顾忠华，雒建斌，路新春，刘岩，
申请(专利权)人：清华大学，深圳清华大学研究院，深圳市力合材料有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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