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本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米ＳｉＯ２磨料，磨料的浓度为２０～４０ｗｔ％，粒径１５～３０ｎｍ，以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的ｐＨ值１０～１２，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性。...
该专利属于天津晶岭微电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津晶岭微电子材料有限公司授权不得商用。

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