卧式多晶硅还原炉入料射流装置制造方法及图纸

卧式多晶硅还原炉入料射流装置，包括与原料气进气管相连接的伞塔，与伞塔出口相连接的均孔喷盘，与均孔喷盘出口相连接的角度喷盘，笼罩在角度喷盘喷出方向外侧的风帽。本实用新型专利技术卧式多晶硅还原炉入料射流装置，完全适应卧式多晶硅还原炉的使用需要，经过伞塔的原料气，由均孔喷盘和角度喷盘进行分布喷射入炉，实现气流以小气量多管式入炉，确保还原炉内气流网分布均匀、稳定。同时，入炉喷射角度根据还原炉结构参数进行设计，预防倒棒，有效保证沉积速度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种射流装置，具体地说是涉及一种适用于卧式多晶硅还原炉入料的多管射流装置。
技术介绍
传统的多晶硅还原反应炉通常都是采用立式还原炉，常用有18对棒，9对棒，它们的直径都小于1600mm，进气方向都是下进气，且喷嘴的角度很小。中国专利申请号200810204124.6公开了一种新型卧式多晶硅还原炉，其相比传统立式多晶硅还原炉具有容易扩大生产规模，缩短生产周期，节约生产成本，提高成品率和生产效率的优点。然而，由于卧式多晶硅还原炉的炉体的中心轴线沿水平方向置放，其进气方向是采用上进气，其结构和工作方式与传统的立式多晶硅还原炉都有较大的差别，因此亟需设计一种适合卧式多晶硅还原炉的入料射流装置。
技术实现思路
针对上述问题，本技术的目的是提供一种适用于卧式多晶硅还原炉的入料射流装置，能够实现还原炉内气流载体的均匀分布。使还原炉反应优良，缩短沉积周期。本技术所采取的技术方案是：提供一种卧式多晶硅还原炉入料射流装置，包括与原料气进气管相连接的伞塔，与伞塔出口相连接的均孔喷盘，与均孔喷盘出口相连接的角度喷盘，笼罩在角度喷盘喷出方向外侧的风帽。其中，所述伞塔的喷射角为132°～138°，所述角度喷盘的喷射角为44°～47°，所述风帽的笼罩角度为115°～125°。所述角度喷盘的出口处安装有风网。所述伞塔的圆周内壁上开设有螺旋槽。本技术的优点是：如上述的结构，本技术卧式多晶硅还原炉入料射流装置，完全适应卧式多晶硅还原炉的使用需要，经过伞塔的原料气，由均孔喷盘和角度喷盘进行分布喷射入炉，实现气流以小气量多管式入炉，确保还原炉内气流网分布均匀、稳定。同时，入炉气态工艺设计采用了单喷嘴夹角132°～138°弱压网状喷射，喷射角度的设计是根据，气量、分压、气速、硅棒高度与筒壁的空间距离，在保证工艺参数及负面影响的情况下经过计算而得的，预防倒棒，有效保证沉积速度。射流装置的各个部分可以采用耐高温、拒腐蚀、高强度的材料(如：石墨)，更符合还原炉实用中的要求。附图说明图1是本技术卧式多晶硅还原炉入料射流装置的结构示意图。-->具体实施方式下面结合附图和实施例进一步说明本技术的结构特征。图1是本技术卧式多晶硅还原炉入料射流装置的结构示意图。如图1所示，本技术的入料射流装置，它包括与原料气进气管相连接的伞塔1，与伞塔1出口相连接的均孔喷盘2，与均孔喷盘2出口相连接的角度喷盘3，笼罩在角度喷盘3喷出方向外侧的风帽5。在本实施例中，所述角度喷盘3的出口处安装有风网4，所述伞塔1的圆周内壁上开设有螺旋槽(图上未显示)。工作时，原料气从原料气进气管进入伞塔1，通过伞塔1圆周内壁上开设的圆周螺旋槽进入均孔喷盘2，最后，由角度喷盘3经风网4喷至还原炉内进行反应，沉积多晶硅。为了提升卧式多晶硅还原炉中入料射流装置的喷射效果，根据卧式多晶硅还原炉的结构和设计参数(如：气量、分压、气速、硅棒高度与筒壁的空间距离等)，在保证工艺参数及负面影响的情况下经过计算，入料射流装置设计参数为：所述伞塔的喷射角为132°～138°，所述角度喷盘的喷射角为44°～47°，所述风帽的笼罩角度为115°～125°。在本实施例中，根据卧式多晶硅还原炉的结构参数，设定伞塔的喷射角为135°，角度喷盘的喷射角为47°，风帽的笼罩角度为120°。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
卧式多晶硅还原炉入料射流装置，其特征是：包括与原料气进气管相连接的伞塔，与伞塔出口相连接的均孔喷盘，与均孔喷盘出口相连接的角度喷盘，笼罩在角度喷盘喷出方向外侧的风帽。

【技术特征摘要】
1.卧式多晶硅还原炉入料射流装置，其特征是：包括与原料气进气管相连接的伞塔，与伞塔出口相连接的均孔喷盘，与均孔喷盘出口相连接的角度喷盘，笼罩在角度喷盘喷出方向外侧的风帽。2.如权利要求1所述的卧式多晶硅还原炉入料射流装置，其特征是，所述伞塔的喷射角为132°～138°。3.如权利要求2所述的卧式多晶硅还原炉入料射流装置，其特征是，所述伞塔的喷射角为135°。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁建中，
申请(专利权)人：袁建中，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]