【技术实现步骤摘要】
本技术涉及溅射镀膜设备
，特别是涉及一种改进型的矩形平面磁控 靶结构。
技术介绍
目前，薄膜技术的应用已遍及国民经济各个领域。在国内制备镀膜领域中，通常把 磁控溅射作为溅射技术的主流，其主要原因就是磁控溅射的“高速”、“低温”特点，它可以在 任何基材上沉积任何镀材的薄膜。目前市场使用的矩形平面磁控靶，如图1和图2所示，矩 形平面磁控靶的靶面处于正交的磁场中，磁场方向与靶面平行，形成环形磁场。在阳极和阴 极之间加载一定的直流电压后，便产生放电，放电产生氩离子轰击矩形平面磁控靶的靶材 本体1的阴极，溅射的靶材沉积到基片上，形成薄膜。但在实际使用过程中，靶材发生溅射， 在溅射粒子中，中性的靶原子(或分子)在沉积于基片上形成薄膜的同时，也极易沉积在矩 形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，造成短路现象的发生，在生产过程中造成不 必要的停机检修，并在维护过程中消耗大量劳动成本与设备成本。
技术实现思路
为了解决现有磁控溅射薄膜过程中，中性的靶原子(或分子)同时容易沉积于矩 形平面磁控靶的阳极与阴极间形成导电薄膜，造成短路现象发生的问题，本技术提供 了一种结构简单，可增加靶材与阳极间距离的矩形平面磁控靶。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案是一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于在靶材本体的两端向内凹陷形 成避让台阶。本技术的有益效果是本技术的矩形平面磁控靶内凹陷形成避让台阶， 有效的增加了矩形平面磁控靶靶材阴极与阳极间的距离，能避免矩形平面磁控靶阳极与阴 极间形成导电薄膜，节约了因频繁维护靶材而付出的动力成本及设备停机时间，提高了生产效率。附图说明图1是...
【技术保护点】
一种矩形平面磁控靶，包括靶材本体，其特征在于：在靶材本体的两端向内凹陷形成避让台阶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄国兴，
申请(专利权)人：赫得纳米科技昆山有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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