一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术领域，为解决因磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度不均匀而导致形成在基板上的膜层的厚度不均匀的问题。所述磁控溅射靶材包括溅射面，溅射面为中部区域凹陷的弧面。当将磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，在基板上形成膜层时，相比于溅射面的中部区域与基板之间的距离，溅射面的边缘区域与基板之间的距离较小，减小因磁场不均匀而导致对应于溅射面的中部区域的成膜速度与对应于溅射面的边缘区域的成膜速度之差，改善磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度的均匀性，从而改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备。
技术介绍
磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的技术之一，由于其具有较高的溅射速率、较高的沉积速率、较低的沉积温度、较好的膜层质量等优点，广泛应用于电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等，例如，显示装置、太阳能电池、建筑玻璃、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。利用磁控溅射技术在基板上形成膜层时，磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，基板和磁控溅射靶分别安装在磁控溅射设备的溅射室内，磁控溅射靶位于基板的下方，磁控溅射靶材的溅射面与基板相对，利用荷能粒子(例如氩离子)轰击磁控溅射靶材的溅射面，使靶材粒子(如离子、原子、分子等)从磁控溅射靶材的溅射面逸出，逸出的靶材粒子在基板上沉积，形成膜层。现有技术中，利用磁控溅射技术在基板上形成膜层时，由于磁控溅射靶材的边缘区域对应的磁场可能比磁控溅射靶材的中部区域对应的磁场小，因而轰击磁控溅射靶材的边缘区域的荷能粒子比轰击磁控溅射靶材的中部区域的荷能粒子少，导致磁控溅射靶材的边缘区域对应的成膜速度比磁控溅射靶材的中部区域对应的成膜速度小，因而利用磁控溅射技术在基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射靶材，其特征在于，包括溅射面，所述溅射面为中部区域凹陷的弧面。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射靶材，其特征在于，包括溅射面，所述溅射面为中部区域凹陷的弧面。2.根据权利要求1所述的磁控溅射靶材，其特征在于，所述磁控溅射靶材呈条状。3.根据权利要求2所述的磁控溅射靶材，其特征在于，所述溅射面在所述磁控溅射靶材的宽度方向上的截面为圆弧线。4.一种磁控溅射靶，其特征在于，包括背板和如权利要求1～3任一所述的磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏钰，宋博韬，成军，刘宁，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34