一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术领域，为解决因磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度不均匀而导致形成在基板上的膜层的厚度不均匀的问题。所述磁控溅射靶材包括溅射面，溅射面为中部区域凹陷的弧面。当将磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，在基板上形成膜层时，相比于溅射面的中部区域与基板之间的距离，溅射面的边缘区域与基板之间的距离较小，减小因磁场不均匀而导致对应于溅射面的中部区域的成膜速度与对应于溅射面的边缘区域的成膜速度之差，改善磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度的均匀性，从而改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及磁控溅射
，尤其涉及一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备。
技术介绍
磁控溅射技术已发展成为工业镀膜中非常重要的技术之一，由于其具有较高的溅射速率、较高的沉积速率、较低的沉积温度、较好的膜层质量等优点，广泛应用于电子、光学、表面功能薄膜、薄膜发光材料等，例如，显示装置、太阳能电池、建筑玻璃、微波与射频屏蔽装置与器件、传感器等。利用磁控溅射技术在基板上形成膜层时，磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，基板和磁控溅射靶分别安装在磁控溅射设备的溅射室内，磁控溅射靶位于基板的下方，磁控溅射靶材的溅射面与基板相对，利用荷能粒子(例如氩离子)轰击磁控溅射靶材的溅射面，使靶材粒子(如离子、原子、分子等)从磁控溅射靶材的溅射面逸出，逸出的靶材粒子在基板上沉积，形成膜层。现有技术中，利用磁控溅射技术在基板上形成膜层时，由于磁控溅射靶材的边缘区域对应的磁场可能比磁控溅射靶材的中部区域对应的磁场小，因而轰击磁控溅射靶材的边缘区域的荷能粒子比轰击磁控溅射靶材的中部区域的荷能粒子少，导致磁控溅射靶材的边缘区域对应的成膜速度比磁控溅射靶材的中部区域对应的成膜速度小，因而利用磁控溅射技术在基板上形成膜层后，与磁控溅射靶材的边缘区域对应的膜层的厚度小于与磁控溅射靶材的中部区域对应的膜层的厚度，造成形成在基板上的膜层的厚度不均匀。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，用于解决因磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度不均匀而导致形成在基板上的膜层的厚度不均匀的技术问题。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：本技术的第一方面提供一种磁控溅射靶材，包括溅射面，所述溅射面为中部区域凹陷的弧面。本技术的第二方面提供一种磁控溅射靶，包括背板和如上述技术方案所述的磁控溅射靶材，所述磁控溅射靶材安装在所述背板上。本技术的第三方面提供一种磁控溅射设备，包括如上述技术方案所述的磁控溅射靶。当将本技术提供的磁控溅射靶材安装在磁控溅射靶上，并将磁控溅射靶安装在磁控溅射设备的溅射室内，以在基板上形成膜层时，由于本技术提供的磁控溅射靶材的溅射面为弧面，且溅射面的中部区域凹陷，因而相比于溅射面的中部区域与基板之间的距离，溅射面的边缘区域与基板之间的距离较小，因此，在单位时间内，使得形成在基板上与溅射面的边缘区域对应的区域内的膜层的厚度相对增加，而使形成在基板上与溅射面的中部区域对应的区域内的膜层的厚度相对减小，即与溅射面的边缘区域对应的成膜速度相对增加，而与溅射面的中部区域对应的成膜速度相对减小，调整对应于溅射面的中部区域的成膜速度和对应于溅射面的边缘区域的成膜速度，以减小因磁场不均匀而导致对应于溅射面的中部区域的成膜速度与对应于溅射面的边缘区域的成膜速度之差，使得对应于溅射面的中部区域的成膜速度与对应于溅射面的边缘区域的成膜速度相匹配，改善磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度的均匀性，从而改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为本技术实施例提供的磁控溅射靶材的结构示意图；图2为本技术实施例提供的磁控溅射靶的结构示意图。附图标记：10-磁控溅射靶材，11-溅射面，20-磁控溅射靶，30-电源，40-基板。具体实施方式为了进一步说明本技术实施例提供的磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，下面结合说明书附图进行详细描述。请参阅图1，本技术实施例提供的磁控溅射靶材10包括溅射面11，溅射面11为中部区域凹陷的弧面。具体地，请继续参阅图1，在本技术实施例提供的磁控溅射靶材10中，假定图1中磁控溅射靶材10的上表面为溅射面11，溅射面11的中部区域向下凹陷，形成一个中部区域向下凹陷的弧面。当将本技术实施例提供的磁控溅射靶材10安装在磁控溅射靶上，并将磁控溅射靶安装在磁控溅射设备的溅射室内，以在基板上形成膜层时，例如在玻璃基板上形成膜层时，由于本技术实施例提供的磁控溅射靶材10的溅射面11为弧面，且溅射面11的中部区域凹陷，因而相比于溅射面11的中部区域与基板之间的距离，溅射面11的边缘区域与基板之间的距离较小，而通常，磁控溅射靶材10上与基板之间的距离较小的区域对应的成膜速度要大于磁控溅射靶材10上与基板之间的距离较大的区域对应的成膜速度，因此，在单位时间内，使得形成在基板上与溅射面11的边缘区域对应的区域内的膜层的厚度相对增加，而使形成在基板上与溅射面11的中部区域对应的区域内的膜层的厚度相对减小，即与溅射面11的边缘区域对应的成膜速度相对增加，而与溅射面11的中部区域对应的成膜速度相对减小，调整对应于溅射面11的中部区域的成膜速度和对应于溅射面11的边缘区域的成膜速度，以减小因磁场不均匀而导致对应于溅射面11的中部区域的成膜速度与对应于溅射面11的边缘区域的成膜速度之差，使得对应于溅射面11的中部区域的成膜速度与对应于溅射面11的边缘区域的成膜速度相匹配，改善磁控溅射靶材10的各个区域对应的成膜速度的均匀性，从而改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性。另外，由于将本技术实施例提供的磁控溅射靶材10安装在磁控溅射靶上，并将磁控溅射靶安装在磁控溅射设备的溅射室内，以在基板上形成膜层时，可以改善形成在基板上的膜层的厚度的均匀性，因而将形成有膜层的基板应用在显示装置上时，可以防止因基板上的膜层不均匀而导致显示Mura(斑点)等现象的发生，尤其是显示装置进行低灰阶显示时的显示Mura。值得一提的是，本技术实施例提供的磁控溅射靶材10应用于在显示装置的基板上形成膜层时，可以应用于在小尺寸的显示装置(例如，尺寸小于32寸的显示装置)的基板上形成膜层，也可以应用于在大尺寸的显示装置(例如，尺寸大于32寸的显示装置)的基板上形成膜层。尤其在大尺寸的显示装置(例如，尺寸大于32寸的显示装置，或者高世代线的平板)的基板上形成膜层时，在现有技术中，由于制备工艺和制备能力的限制，在大尺寸的显示装置的基板上形成膜层时，通常在磁控溅射靶上安装多个磁控溅射靶材10，每个磁控溅射靶材10的溅射面11均与基板相对，然而，由于多个磁控溅射靶材10中，相邻的两个磁控溅射靶材10之间具有一定的缝隙，因而，相邻的两个磁控溅射靶材10分别对应、用于提供磁场的磁铁之间也具有一定的缝隙，导致每个磁控溅射靶材10中靠近与其它相邻的磁控溅射靶材10的侧边的边缘区域对应的磁场较小，而每个磁控溅射靶材10的中部区域对应的磁场较大，因而每个磁控溅射靶材10中靠近与其它相邻的磁控溅射靶材10的侧边的边缘区域对应的荷能粒子较少，而每个磁控溅射靶材10的中部区域对应的荷能粒子较多，当磁控溅射靶材10为平面靶材时，即磁控溅射靶材10的各个区域与基板之间的距离均相同时，会导致与磁控溅射靶材10的边缘区域对应的成膜速度小于与磁控溅射靶材10的中部区域对应的成膜速度。而本技术实施例提供的磁控溅射靶材10中，溅射面11为曲面，且溅射面11的中部区域凹陷，因而将多个本技术实施例提供的磁控溅射靶材10安装在磁控溅射靶上，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射靶材，其特征在于，包括溅射面，所述溅射面为中部区域凹陷的弧面。

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射靶材，其特征在于，包括溅射面，所述溅射面为中部区域凹陷的弧面。2.根据权利要求1所述的磁控溅射靶材，其特征在于，所述磁控溅射靶材呈条状。3.根据权利要求2所述的磁控溅射靶材，其特征在于，所述溅射面在所述磁控溅射靶材的宽度方向上的截面为圆弧线。4.一种磁控溅射靶，其特征在于，包括背板和如权利要求1～3任一所述的磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏钰，宋博韬，成军，刘宁，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34