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本实用新型公开一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术领域，为解决因磁控溅射靶材的各个区域对应的成膜速度不均匀而导致形成在基板上的膜层的厚度不均匀的问题。所述磁控溅射靶材包括溅射面，溅射面为中部区域凹陷的弧面。当将磁控溅...该专利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。