一种空心球状硅纳米材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种空心球状硅纳米材料的制备方法，利用Mg对SiO2的还原作用，将SiO2球还原成空心球状硅纳米材料。该空心球状硅纳米材料由两步合成：(1)利用表面活性剂合成SiO2球前驱物；(2)用固相镁热法合成空心球状硅纳米材料。本发明专利技术所制备的硅具有中空的球状结构，球体表面粗糙、疏松，具有很高的比表面积。通过扫描电镜测试表明所得材料为中空的硅球，球壳厚度约50-80nm。通过绝对温度77K下氮气的吸附测试表明该材料BET比表面积为1324m2/g。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料科技领域，具体涉及。
技术介绍
纳米材料是指某个维度尺寸在I-IOOnm范围内的各种固体材料。纳米材料由于尺 度的减少和表面状态的改变，导致表面效应、小尺寸效应、量子效应和宏观量子隧道效应的 产生，因此必然会在化学活性、磁性、光吸收、光反射和催化等方面表现出特殊性质。硅是一 种性能优异、应用广泛的半导体材料，其纳米材料的制备受到人们的极大关注，特别是硅纳 米材料在太阳能电池、锂离子电池、超级电容器等领域的应用受到人们格外重视。迄今，人 们利用多种方法合成了硅纳米颗粒、纳米线、纳米管等纳米材料，但是空心球硅纳米材料的 合成还很少见诸于报道。Him Ma等人报道了一种利用NaSi为硅源合成巢状硅纳米球的方 法。但该前驱物NaSi不易获得，而且操作需要在无水无氧条件 下进行，不易用于大批量制备，使其应用受到限制。
技术实现思路
本专利技术的目的是制备合成一种空心球状硅纳米材料，为硅太阳能电池、锂离子电 池、超级电容器等领域应用提供不同形貌特征的半导体硅纳米材料。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种空心球状硅纳米材料的制备方 法，其制备方法为两步合成，具体步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种空心球状硅纳米材料的制备方法，其特征在于：其制备方法为两步合成，具体步骤为：（１）在含有表面活性剂的溶液中，在一定温度下，将正硅酸乙酯慢慢滴入，陈化一定时间，合成得到ＳｉＯ２小球前驱物；（２）将上述前驱物和Ｍｇ粉混合均匀，在惰性气体保护的管式炉中，固相镁热还原ＳｉＯ２小球前驱物得到空心球状硅纳米材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美玭，杜红宾，游效曾，
申请(专利权)人：南京大学，常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：84