多晶硅氢还原炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壳，炉壳安装在炉盘上；炉盘上布有进、出气管，进气管的进气端上设有喷口，炉盘上设有加热电极，电极上一一对应安装有硅芯棒，所述还原炉炉盘下部的进气管与炉盘上部的喷口为可拆卸式连接，所述喷口为石墨喷口。本实用新型专利技术可以有效实现相同流量情况下喷口喷速的改变，还可以根据需要使物料气体在炉底盘上的任意位置喷出，不再受进气管在底盘上分布状况的限制。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种多晶硅生产装置，主要涉及多晶硅氢还原炉。
技术介绍
在多晶硅生产中，还原炉是其主要设备，而还原炉的进气喷口是 多晶硅氢还原炉的极重要组成元件，他的喷口喷速和分布对硅棒的生 长和沉积状况有着重大影响。现有技术中，多晶硅氢还原炉大多釆用 固定截面积喷口，而且喷口和进气管是一体的，并未做明显区分。这 种结构在物料气体流量相同的情况下，无法改变喷口喷速和进气位置， 从而无法通过以改变喷口喷速和进气位置的方式来实现改变还原炉 内气场和温度场的分布。在生产工艺优化的过程中，缺陷相当明显。 一旦喷口喷速不合适，将严重影响硅棒的生长，带来一系列的问题， 比如硅棒上下生长不均匀；硅棒表面出现"爆米花"现象等。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述技术缺陷，提供一种多晶硅氢还 原炉。本技术可以有效实现相同流量情况下喷口喷速的改变，还 可以根据需要使物料气体在炉底盘上的任意位置喷出，不再受进气管 在底盘上分布状况的限制。为实现上述专利技术目的，本技术采用的技术方案是 多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壳，炉壳安装在炉盘上； 炉盘上布有进、出气管，进气管的进气端上设有喷口，炉盘上设有加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
多晶硅氢还原炉，包括带有冷却装置的炉壳（１、２），炉壳（１、２）安装在炉盘（６）上；炉盘（６）下部布有进、出气管（１１），进气管（１１）的进气端上设有喷口（１０），炉盘（６）上部设有加热电极（７），电极（７）上一一对应安装有硅芯棒（６），其特征在于：所述还原炉炉盘（６）下部的进气管（１１）与炉盘（６）上部的喷口（１０）为可拆卸式连接，所述喷口（１０）为石墨喷口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴自忠，张强，
申请(专利权)人：四川永祥多晶硅有限公司，
类型：实用新型
国别省市：51[中国|四川]