多电感耦合等离子体反应器及其方法技术

公开了一种多电感耦合等离子体反应器及其方法。在多电感耦合等离子体反应方法中，用于增进待处理衬底中特定部分的蚀刻方法包括：蚀刻待处理衬底中特定部分；和在被蚀刻的特定部分的表面上沉积钝化层，其中重复进行蚀刻和沉积步骤，当存在由中心等离子体源和外围等离子体源形成的等离子体时执行这两个步骤之一。根据本发明专利技术的多电感耦合等离子体反应器及其方法，由于中心等离子体源和外围等离子体源被分开设置，因此在衬底的整个区域上可以均匀地处理等离子体。另外，可以使用在中心等离子体源和外围等离子体源之间接地的防干扰电极来在等离子体反应器中形成没有电干扰的独立的复等离子体区。另外，由中心等离子体源和外围等离子体源形成的等离子体用于深蚀刻待处理衬底中的特定部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，并且具体地，涉及使用多电感耦合等离子体来对待处理的衬底中的特定部分进行深蚀刻的方法。
技术介绍
在硅的各向异性蚀刻方法中，重复执行如下处理蚀刻待处理的衬底中的特定部分并且在被蚀刻的该特定部分上沉积钝化层。在重复执行蚀刻和沉积处理的同时，待处理的衬底中的特定部分被蚀刻到所需深度。通过等离子体来实现这种蚀刻和沉积处理。等离子体是包括相同数目的正离子和电子的高度离子化的气体。使用等离子体放电来激发气体以产生包括离子、游离的基团、原子和分子的活化气体。即，在例如蚀刻、沉积、清洗和灰化的各种半导体制造工艺中，广泛使用活化气体，以制造诸如集成电路器件、 液晶显示器、太阳能电池等器件。存在多种用于产生等离子体的等离子体源，代表性的示例是使用射频的电容耦合等离子体和电感耦合等离子体。电容耦合等离子体源具有高的正确电容耦合控制和离子控制的能力，从而与其它等离子体源相比它具有高的处理生产率的优点。然而，当电容耦合电极变为大规模以便处理待处理的大规模衬底时，由于电极劣化而导致电极变形或受损。在这种情况下，电场强度变得不均勻，使得等离子体密度可能会不均勻并且反应器的内部可能会被污染。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．在多电感耦合等离子体反应方法中，用于增进待处理的衬底中的特定部分的蚀刻方法，包括：蚀刻所述待处理的衬底中的特定部分；以及在被蚀刻的所述特定部分的表面上沉积钝化层，其中重复进行所述蚀刻和沉积步骤，并且当存在由中心等离子体源和外围等离子体源形成的等离子体时，执行所述两个步骤之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许鲁铉，金奎东，南昌祐，朴成民，崔大圭，
申请(专利权)人：株式会社新动力等离子体，
类型：发明
国别省市：KR[]