双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅电池的背钝化技术领域，特别是一种双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺，该结构包括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。其工艺步骤如下：1、P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2、正面PECVD镀SiNx；3、背面PECVD镀双层SiNx；4、制作电极；5、烧结。在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点：1.SiNx带正电荷，用其做背钝化面，可以降低背场复合，显著提高Uoc。采用双层富硅SiNx进一步降低了复合。2.IQE长波响应可以得到提高。

Double layer silicon rich SiNx back passivation structure and process thereof

The invention relates to a silicon battery technical field back passivation, especially a bilayer silicon rich SiNx back passivation structure and process, including the structure of P type silicon substrate, the substrate is a positive N type diffusion region on the back surface of the substrate by double stack passivation SiNx. The process is as follows: 1. The P type silicon wafer is processed, diffused and cleaned; 2, the front PECVD is plated with SiNx; 3, the back of PECVD is plated with double layer SiNx; 4, the electrode is made; 5, sintered. Based on high efficiency crystalline silicon solar cell, using double silicon rich SiNx stack as a back passivation medium, compared with the normal production process has the following characteristics: 1.SiNx with positive charge, with its back surface passivation, can reduce the back field of composite, improve Uoc. Double layer silicon rich SiNx further reduced the composite. 2.IQE long wave response can be improved.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅电池的背钝化

技术介绍
现在晶体硅太阳能电池背钝化高效电池一般采用热氧化生长的Si02实现背钝 化。部分高效电池也采用SiNx和Si02叠层实现背钝化，达到了提高Uoc的效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种实现电池背钝化，提高电池效率的硅电 池的背钝化结构及其工艺。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种双层富硅SiNx背钝化结构，包 括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。N型扩散区的表面镀氮化硅，或氧化硅和氮化硅的叠层，氮化硅在氧化硅的上层。一种双层富硅SiNx背钝化工艺，其工艺步骤如下1)P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2)正面PECVD镀SiNx，折射率为2 2. 1，厚度为75 90nm ；3)背面PECVD镀双层SiNx，折射率为2. 2 2. 4，叠层厚度为80 IOOnm ；4)制作电极；5)烧结。本专利技术的有益效果是在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠 层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点1. SiNx带正电荷，用其做背钝 化面，可以降本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种双层富硅ＳｉＮｘ背钝化结构，包括Ｐ型硅基体（１），在基体（１）的正面是Ｎ型扩散区（２），其特征是在：在所述的基体（１）的背面通过双层ＳｉＮｘ叠层（３）钝化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许艳，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32