太阳能电池结构制造技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池结构，包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层、第一透明导电层、第一保护层依序地配置于基板的一第一侧。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层。第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧，且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。本发明专利技术透明导电层与保护层的堆栈结构可提供抗反射的作用，构成多层态样的抗反射涂层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池结构，且尤其涉及一种具有多层结构的抗反射层的太阳能电池结构。
技术介绍
一般电子设备大多由外来的交流电源提供电能而进行运作，其中交流电源的获得主要是利用燃烧石油的方式转换成所需能量。但因为地球石油的蕴藏量有限，必须寻找新的替代能源以避免能源枯竭的浩劫。另外，燃烧石油所产生的二氧化碳所造成温室效应而对地球环境造成的威胁，例如全球海平面的上升，全球气候异常等。干净能源的运用与发展成为未来必走的趋势。太阳能是一种具有永不耗尽且无污染的能源，在解决目前石化能源所面临的污染与短缺的问题时，一直是最受瞩目的焦点。近年来，太阳能电池的光电转换效率持续且显著地提升，生产成本也逐渐降低。所以，太阳能电池的研究将成为全球新兴能源产业的重要议题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种太阳能电池结构，具备理想的信赖性。本专利技术提出一种太阳能电池结构，包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层配置于基板的一第一侧。第一透明导电层配置于第一半导体硅膜层上。第一保护层配置于第一透明导电层上。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层，且第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧，且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。在本专利技术的一实施例中，上述太阳能电池结构更包括一第二保护层。第二保护层配置于第二透明导电层远离基板的一侧。第二保护层具有多个第二开口以暴露出部分第二透明导电层，其中第二保护层的材质为氮化硅，且第二金属电极位于第二开口中。在本专利技术的一实施例中，上述第一半导体硅膜层包括一第一本征半导体层以及一第一掺杂半导体层，且第一本征半导体层位于第一掺杂半导体层与基板之间。具体而言，第二半导体硅膜层例如也包括一第二本征半导体层以及一第二掺杂半导体层，且第二本征半导体层位于第二掺杂半导体层与基板之间。第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层分别为一 P型掺杂半导体层以及一 N型掺杂半导体层。在本专利技术的一实施例中，上述基板为硅基板。在本专利技术的一实施例中，上述基板为N型硅基板。在本专利技术的一实施例中，上述第一透明导电层与第二透明导电层的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。在本专利技术的一实施例中，上述第一金属电极与第二金属电极的材质包括金属、合金、金属氮化物、金属氧化物、金属氮氧化物、或是金属与非金属导电材料的堆栈层。在本专利技术的一实施例中，上述第一金属电极的高度至少等于或大于该第一保护层的厚度。基于上述，本专利技术的太阳能电池结构中，透明导电层上覆盖有一层氮化硅材质所构成的保护层。透明导电层与保护层的堆栈结构可提供抗反射的作用，而构成多层态样的抗反射涂层(Anti-reflective coating, ARC) 0另外，氮化硅材质的保护层可阻绝水气以保护透明导电层。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。 附图说明图1绘示为本专利技术第一实施例的太阳能电池结构示意图。图2绘示为本专利技术第二实施例的太阳能电池结构示意图。其中，附图标记100,200太阳能电池结构110基板112第--侧114A-Ap — 弟一侧120第--半导体硅膜层122第--本征半导体层124第--掺杂半导体层130第--透明导电层140第--保护层142第--开口150第--金属电极160Α-Λ;— 弟一:半导体硅膜层162A-A;— 弟一:本征半导体层164A-A;— 弟一掺杂半导体层170A-A;— 弟一透明导电层180A-A;— 弟一二金属电极190A-A;— 弟一保护层192A-A;— 弟一开口tl ~t4高度具体实施例方式图1绘示为本专利技术第一实施例的太阳能电池结构示意图。请参照图1，太阳能电池结构100包括一基板110、一第一半导体硅膜层120、一第一透明导电层130、一第一保护层140、一第一金属电极150、一第二半导体硅膜层160、一第二透明导电层170以及一第二金属电极180。第一半导体硅膜层120配置于基板110的一第一侧112。第一透明导电层 130配置于第一半导体硅膜层120上。第一保护层140配置于第一透明导电层130上。第一保护层140具有多个第一开口 142以暴露出部分第一透明导电层130，且第一保护层140 的材质为氮化硅。第一金属电极150配置于第一保护层140的第一开口 142中。第二半导体硅膜层160配置于基板110的一第二侧114，且第一侧112与第二侧114相对。第二透明导电层170配置于第二半导体硅膜层160远离基板110的一侧。第二金属电极180配置于第二透明导电层170远离基板110的一侧。具体而言，太阳能电池结构100例如是一双面结构的太阳能电池，其中基板110可以是一硅基板或是一 N型硅基板。第一半导体硅膜层120包括一第一本征半导体层122以及一第一掺杂半导体层124，且第一本征半导体层122位于第一掺杂半导体层IM与基板 110之间。另外，第二半导体硅膜层160例如也包括一第二本征半导体层162以及一第二掺杂半导体层164，且第二本征半导体层162位于第二掺杂半导体层164与基板110之间。在本实施例中，第一掺杂半导体层124与第二掺杂半导体层164例如分别为一 P 型掺杂半导体层以及一 N型掺杂半导体层。也就是说，第一掺杂半导体层IM与第二掺杂半导体层164的掺杂型态不同以提供不同的载子传递特性。此外，第一半导体硅膜层120以及第二半导体硅膜层160的材质主要包括硅等半导体材料。在其它实施例中，第一半导体硅膜层120以及第二半导体硅膜层160的材质可以是单晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅，本专利技术并不加以限定。值得一提的是，第一半导体硅膜层120以及第二半导体硅膜层160的形成方式可以是使用气相沉积法、扩散法或其它合适的方式，本专利技术也不加以限定。第一透明导电层130与第二透明导电层170的材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、 铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。第一透明导电层 130与第二透明导电层170可允许光线的穿透，所以外界光线可穿过第一透明导电层130与第二透明导电层170而进入第一半导体硅膜层120以及第二半导体硅膜层160以发生光电转换作用。此外，第一透明导电层130与第二透明导电层170的设置可以降低光线反射而提供抗反射的作用。值得一提的是，太阳能电池结构100中更包括有氮化硅材质所构成的第一保护层 140，其配置于第一透明导电层130上。第一保护层140的设置有助于提高光线补捉(light trapping)特性，而进一步地强化抗反射的作用。因此，第一保护层140与第一透明导电层 130的迭层结构可以构成一多层态样的抗反射涂层(ARC)设计。太阳能电池结构100具有理想的抗反射以及光线捕捉特性，因而进一步具有理想的光电转换效率。此外，第一保护层 140具有阻绝水气的特性。因此，在第一保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种太阳能电池结构，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体硅膜层，配置于该基板的一第一侧；一第一透明导电层，配置于该第一半导体硅膜层上；一第一保护层，配置于该第一透明导电层上，该第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分该第一透明导电层，且该第一保护层的材质为氮化硅；一第一金属电极，配置于该第一保护层的该些第一开口中；一第二半导体硅膜层，配置于该基板的一第二侧，且该第一侧与该第二侧相对；一第二透明导电层，配置于该第二半导体硅膜层远离该基板的一侧；以及一第二金属电极，配置于该第二透明导电层远离该基板的一侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈钰君，赖忠威，陈宗保，陈人杰，吴振诚，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71