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本发明涉及一种硅电池的背钝化技术领域，特别是一种双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺，该结构包括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。其工艺步骤如下：1、P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2、正面PECVD...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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