一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法技术

一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法，它涉及一种晶体硅太阳电池生产的技术领域。它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成，并且在一次PECVD沉积过程中获得。两个子层中，与硅片接触的第一子层(内层)比第二子层薄膜(外层)具有更高的折射率(也即是n1＞n2)。一次沉积过程分两个阶段进行，而且在两个阶段中分别采用两个不同的硅烷和氨气流量比；两个不同生长温度；两个不同高频电源输出功率；两个不同的沉积时间；两个不同的工作气压。它用于晶体硅太阳电池时，比单层氮化硅薄膜具有更好的减反射效果和更好的表面钝化效率，可以提高太阳电池的光电转换效率，因此，具有较好的实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体硅太阳电池生产的
，具体涉及一种用于晶体硅太阳 电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法。
技术介绍
提高晶体硅太阳电池的转换效率的一种途径是降低硅片表面的反射率和增加表 面钝化效果。工业化晶体硅太阳电池通常使用PECVD沉积氮化硅薄膜，所制备的氮化硅薄 膜含有Si、N、H等三种元素，通常表示为SiNx:H薄膜，它既起到减反射的作用，也起到表面 钝化的作用。减反射的原理是利用减反射层(ARC)前后两个表面所反射的光叠加并相消，从而 达到减弱反射光的作用。单层减反射薄膜，经过前后两个表面反射光线后，存在一次光的叠 加相消。而双层减反射薄膜，则除了前后两个表面反射光线以外，薄膜间的界面还可以反射 和叠加光线，因此存在两次光的叠加相消。因此，双层减反射薄膜比单层减反射薄膜具有更 好的减反射效果，可以使得硅片表面具有更低的反射率。此外，对于单层减反射薄膜而言，晶体硅太阳电池的减反射层满足最佳减反射条 件时，有以下关系式=^4 = VwO x nSi，其中:n。为空气(或玻璃)的折射率； 为减反射层的折射率；nSi为晶体硅太阳电池的折射率，nSi ^ 3. 8。对于空气中本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法，其特征在于它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成，并且在一次ＰＥＣＶＤ沉积过程中获得。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：屈盛，
申请(专利权)人：欧贝黎新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32