一种10B二硼化锆及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种10B二硼化锆及其制备方法。将二氧化锆或脱鉿二氧化锆70～75份，10B丰度25-99%（at.)的碳化硼19～22份，高纯石墨粉5～9份，以无水乙醇作分散剂，使用氧化锆球磨混合2～5小时。将乙醇混合粉料在100°C下，使乙醇全部蒸发。将混合粉料加入感应炉的石墨坩埚中，充入氩气保护，升温至1350～1450°C，保温60分钟；而后，继续升温至1750～1850°C，保持60～120分钟后，停止加热。所制备的10B二硼化锆中ZrB2的含量大于98%，三氧化二硼含量小于0.3%，游离硼小于1.3%，游离碳<1%，粒度d50≤10μm，10B丰度为25-99%（at.)。

10B two zirconium boride and preparation method thereof

The invention relates to a 10B two zirconium boride and a preparation method thereof. Two zirconium oxide or hafnium oxide two zirconia 70~75 parts, 10B rich 25-99% (at.) boron carbide 19~22 parts, high purity graphite powder 5~9 parts, using absolute ethanol as dispersant, using zirconium oxide ball milling mixing 2~5 hours. The ethanol mixture is evaporated at 100 DEG C, and the ethanol is evaporated. The mixing powder is added to the graphite crucible of induction furnace. It is filled with argon to protect it. The temperature is up to 1350~1450 C, and the heat is kept for 60 minutes. Then, the temperature is up to 1750~1850 C, and the heating is stopped after 60~120 minutes. The content of the ZrB2 10B two zirconium diboride prepared in more than 98%, three oxidation two boron content is less than 0.3%, less than 1.3% of boron free, free carbon particle size less than or equal to 10 mu <1%, D50 m, 10B 25-99% (at.) abundance.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及先进陶瓷材料领域，具体涉及一种ltlB 二硼化锆及其制备方法。
技术介绍
10B 二硼化锆具有高熔点、高硬度、高导热率、导电性好等优点，10B 二硼化锆中的、 具有较高的中子俘获截面，俘获能谱宽，吸收中子后不产生放射性同位素，二次射线能量低 的特性，应用在核反应堆中作为可燃毒物。用此作原料，制成的溅射靶件，用作反应堆内部 组件。硼有两种天然同位素，即为ltlB和"B。在自然界天然硼矿物中，ltlB的丰度为19.6% (at.原子，下同)，其余为"B丰度80. 4% (at.)。现在，大连博恩坦科技有限公司可以提供 各种丰度的、化合物，kiB丰度可达99% (at.)的纯kiB化合物产品，这样就有条件制备高 10B丰度的ltlB 二硼化锆产品，满足科学技术和生产发展的需要。国内外有关以其他体系的二硼化锆制备的文献已见报道。如由天然硼或天然硼化 合物同锆或锆化合物制备二硼化锆，所研究的工艺方法有多种，固相法，包括单质锆与单质 硼合成法、硼氢化锆固相分解法、碳热金属热还原法、自蔓延燃烧合成法和电化学合成法， 还有气相法和机械化学法等。这诸多方法中，研究性质的多，发表论文的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种１０Ｂ二硼化锆，其特征在于其中ＺｒＢ２的含量大于９８ｗｔ％，　Ｂ２Ｏ３含量小于０．３ｗｔ％，游离硼含量小于１．３ｗｔ％，游离碳含量小于１ｗｔ％，１０Ｂ丰度为２５～９９％（ａｔ．），余量为不可避免的杂质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旭光，曹宝胜，韩晓辉，
申请(专利权)人：大连博恩坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：91