一种10B碳化硼及其制备方法技术

本发明专利技术涉及防护和控制材料技术领域，具体涉及一种10B碳化硼及其制备方法。本发明专利技术的10B碳化硼B4C的含量为>97wt%,B2O3含量<0.3wt%，游离硼含量<1.3wt%，10B丰度为25～99%（at.)。制备方法如下：将10B丰度25～99%（at.)的硼酸粉75-85份、高纯石墨粉25-35份混合，混合粉料压成直径20mm、厚度10mm的压片颗粒，在100～200°C和500～700°C下进行分段焙烧脱水。将焙烧后压片颗粒放入感应加热炉或石墨加热炉中或电弧炉中进行碳化，碳化温度1855～2100°C，即得到符合质量要求的10B碳化硼产品。

10B boron carbide and preparation method thereof

The invention relates to the technical field of protection and control materials, in particular to a 10B boron carbide and a preparation method thereof. The content of 10B boron carbide B4C in the invention is >97wt%, B2O3 content is <0.3wt%, free boron content is <1.3wt%, and 10B abundance is 25 to 99% (at.). The preparation method is as follows: 10B abundance of 25 ~ 99% (at.) of the boric acid powder 75-85 parts, 25-35 Gao Chunshi toner is mixed, the mixed powder is pressed into tablet grain diameter 20mm and thickness 10mm, segmented baking dehydration in 100 ~ 200 ~ C and 500 ~ 700 DEG C. After roasting, the pressed pellet is put into an induction heating furnace or a graphite heating furnace or an electric arc furnace to be carbonized, and the carbonization temperature is 1855~2100 DEG C, namely, the 10B boron carbide product meeting the quality requirement is obtained.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及防护和控制材料
，具体涉及一种kiB碳化硼及其制备方法。
技术介绍
kiB碳化硼中的kiB具有较高的中子俘获截面，俘获能谱宽，吸收中子后不产生放射 性同位素，二次射线能量低的特性，成为用于核反应堆的最重要中子吸收的首选材料。而且 kiB碳化硼具有优越的高温性质、极好的耐磨性、相当好的化学惰性以及特殊的辐射性质。其 制品可在核反应堆中用作屏蔽防护材料和控制材料。在专利申请号为200910231496. 2，专利技术名称为“一种富kiB碳化硼粉体及其制备方 法”的专利技术专利申请中，将kiB硼酸粉体和碳粉以无水乙醇为介质，球磨混合、烘干，在600 800° C下煅烧，将煅烧后的粉体磨细，放在石墨模具中在氩气或真空中、1700-1850° C进 行碳化，保温时间20 30分钟，得富、碳化硼粉体，其中B4C含量大于97wt%，B2O3含量小 于lwt%，残量碳含量小于2wt% ；碳化硼粉体的中位粒径d5(l彡3. 5μπι。这种方法所用的高 纯碳粉，通常是指炭黑，它反应活性强，但易氧化。在混合、硼酸粉体和碳粉时以无水乙醇 为介质，增加了生产成本；在600 800° 本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种１０Ｂ碳化硼，其特征在于所述的１０Ｂ碳化硼中，Ｂ４Ｃ的含量）９７ｗｔ％，　Ｂ２Ｏ３含量（０．３ｗｔ％，游离硼含量（１．３ｗｔ％，１０Ｂ丰度为２５～９９％（ａｔ．），余量为不可避免的杂质。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旭光，曹宝胜，韩晓辉，
申请(专利权)人：大连博恩坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：91