A new type of temperature gradient oriented crystal growth method, relates to the crystal growth of new technology, which is characterized in that the heating body in the vertical direction, divided into 1 ~ N group, each group of heating body can have 0 to 100% of the power control independently, each distribution using the combination of different distribution of heating power can achieve convenient temperature gradient the different crystal growth. Crystals can be simulated by temperature gradient method (TGT), heat exchange method (HEM) and crucible descent method. The beneficial effect is realized by adjusting the power of different gradient to adjust the temperature, can be conveniently obtained by different crystal temperature and the temperature distribution is needed for growth, so as to improve the efficiency of research and development and production, the crystal size and quality are improved at the same time, improve the utilization rate of equipment.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长领域，特别是一种。
技术介绍
随着光通讯、激光工业、太阳能和LED产业的发展，需要的各种光功能晶体材料的质量和尺寸越来越大。目前生长大尺寸高质量的光功能晶体尤其是高温氧化物晶体主要采用热交换法(HEM) 、温梯法(TGT)、坩埚下降法，以上方法都或多或少存在一定的局限性，不能很好的实现温度梯度精确的控制，影响了晶体的工业化生产。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种解决大尺寸高温氧化物晶体的研发和生长困难问题，通过强大的可调节设计来调节温场，方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，提高设备利用率的。本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现一种，其特征在于把加热体在垂直方向上，分成 1 N组(N = 2 1000)，每组加热体都可以独立进行0 100%的功率控制，利用每组加热体功率不同的分布组合可以方便的实现温度梯度的分布，进行不同晶体的生长；可以模拟实现温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)和坩埚下降法生产晶体。有益效果是通过调节功率实现不同梯度来调节温场，...
【技术保护点】
１．一种新型温度梯度晶体定向生长方法，其特征在于：把加热体在垂直方向上，分成１～Ｎ组（Ｎ＝２～１０００），每组加热体都可以独立进行０～１００％的功率控制，利用每组加热体功率不同的分布组合可以方便的实现温度梯度的分布，进行不同晶体的生长，可以模拟实现温度梯度法（ＴＧＴ）、热交换法（ＨＥＭ）和坩埚下降法生产晶体。有益效果是通过调节功率实现不同梯度来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，同时提高了设备的利用率。
【技术特征摘要】
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