本发明专利技术是一种近接感侧器封装结构。该近接感侧器封装结构包括一基板、二设于基板上的第一导电层以及多个设于基板上的第二导电层。基板具有一第一凹槽以及一第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽分别由一底面及一内侧壁所界定。各第一导电层是自第一凹槽的底面沿内侧壁以相反方向延伸至基板的外侧壁，且第二导电层区分为相隔离的一第一导电部及一第二导电部。第一导电部设置于第二凹槽的底面中央处，而第二导电部是自第二凹槽的底面沿其内侧壁延伸至基板的外侧壁。
Proximity sensor packaging structure and manufacturing method thereof
The invention relates to a packaging structure of a proximity sensing device. The proximity sensor packaging structure comprises a substrate, a two first conductive layer disposed on the substrate, and a plurality of second conductive layers disposed on the substrate. The base plate is provided with a first groove and a second groove, and the first groove and the two groove are respectively defined by a bottom surface and an inner wall. The first conductive layer is extended from the bottom surface of the first groove to the outer wall of the base plate in an opposite direction along the inner wall, and the second conductive layer is divided into a first isolating part and a second conductive part. The first conductive part is arranged at the center of the bottom surface of the second groove, and the second conductive part is from the bottom surface of the second groove extending along the inner wall to the outer wall of the base plate.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种，尤指一种将感测芯片与发光芯片封装在一起的。
技术介绍
红外线(infrared，IR)近接传感器已逐渐应用于手机与掌上型装置中，例如能够使用红外线近接传感器来控制位于数字相机装置中的显示屏幕的开关。当如人的眼睛的对象靠近位于红外线近接传感器一侧的观景窗时，红外线近接传感器便会检测到该对象， 而执行关闭显示屏幕，进而节省显示屏幕的电源消耗。请参考图1，图1为现有的近接传感器的组装结构示意图。如图1所示，现有的近接传感器的组装结构10用于检测靠近现有的近接传感器的组装结构10 —特定距离d内的物体12，且现有的近接传感器的组装结构10包括一红外线发光二极管(LED)芯片14、一感测芯片16、一电路板18以及一透明遮盖20，其中红外线发光二极管芯片14与感测芯片16 分别设于电路板18上，以分别电性连接至外界。当现有的近接传感器的组装结构10开始操作时，红外线发光二极管芯片14所产生的光线具有一特定信号，且朝上发散地射出，遇到所欲检测的物体12会被反射至感测芯片16，而感测芯片16接收到具有特定信号的光线时即判断检测到物体12靠近。并且，电路板18是具有一阻隔部22，设于红外线发光二极管芯片14与感测芯片16之间，以防红外线发光二极管芯片14所产生具有特定信号的光线直接被感测芯片16接收到。此外，透明遮盖20覆盖于红外线发光二极管芯片14、感测芯片 16以及电路板18上，以作为保护。然而，由于红外线发光二极管芯片所射出的光线是发散的，并且透明遮盖具有部分反射特性，所以当红外线发光二极管芯片所产生的光线经过透明遮盖时，部分光线会受到透明遮盖的反射，而被感测芯片接收到，使被所欲检测的物体反射的光线与被透明遮盖反射的光线互相干扰，进而造成感测芯片的判断错误。并且，为了避免红外线发光二极管芯片的光线于尚未射出组装结构之前被感测芯片检测到，现有的近接传感器的红外线发光二极管芯片与感测芯片间的距离需尽量远离，但却增加了现有的近接传感器的组装结构的体积。因此，为了满足元件缩小化的趋势，且避免红外线发光二极管芯片的光线受到透明遮盖的部分反射的干扰，改善红外线近接传感器的结构实为业界努力的目标。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种，以解决上述的问题，并提升近接传感器封装结构的感应能力。为达上述的目的，本专利技术提供一种近接传感器封装结构，其包括一具有不可透光性的基板、二设于基板上的第一导电层、多个设于基板上的第二导电层、一发光芯片、一感测芯片以及二封装胶体。基板具有一第一凹槽以及一第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽分别是由一底面及一由底面向上延伸至基板的上表面的内侧壁所界定。这些第一导电层彼此之间电性绝缘，且各第一导电层是自第一凹槽的底面沿其内侧壁以相反方向延伸至基板的一外侧壁。这些第二导电层彼此之间电性绝缘，且这些第二导电层区分为相隔离的一第一导电部及一第二导电部，第一导电部设置于第二凹槽的底面中央处，而第二导电部是自第二凹槽的底面沿其内侧壁延伸至基板的外侧壁。发光芯片设于第一凹槽内，且电性连接于第一导电层之间。感测芯片设于第二凹槽内，且电性连接至第二导电层。封装胶体分别覆盖于发光芯片以及感测芯片上。为达上述的目的，本专利技术提供一种近接传感器封装结构的制作方法。首先，提供一基板，其中基板具有一第一凹槽以及一第二凹槽，且基板具有不可透光性。接着，于基板的表面形成多个图案化沟槽，其中各图案化沟槽内的基板具有一粗糙表面。然后，于图案化沟槽内的基板上形成二第一导电层以及多个第二导电层。其后，将一发光芯片与一感测芯片分别接合于第一凹槽内与第二凹槽内的基板上，且电性连接发光芯片与感测芯片分别至第一导电层之间与至第二导电层。本专利技术相较于现有技术的有益技术效果是本专利技术近接传感器封装结构的制作方法是于一基板上直接形成导电层，然后再将发光芯片与感测芯片设于基板上，使发光芯片与感测芯片得以封装于同一封装结构中，藉此缩减近接传感器的体积。并且，本专利技术的近接传感器封装结构利用基板具有不可透光的特性，使设于第二凹槽内的感测芯片不受到设于第一凹槽内的发光芯片所产生的光线直接穿过基板而造成误感应。附图说明图1为现有的近接传感器的组装结构示意图。图2至图6为本专利技术第一实施例的近接传感器封装结构的制作方法示意图。图7为本专利技术第二实施例的近接传感器封装结构的上视示意图。图8为本专利技术第二实施例的近接传感器封装结构的另一实施态样的上视示意图。图9为利用本专利技术近接传感器封装结构检测物体的示意图。图10为本专利技术第三实施例的近接传感器封装结构的上视示意图。具体实施例方式请参考图2至图6，图2至图6为本专利技术第一实施例的近接传感器封装结构的制作方法示意图。图6为本专利技术第一实施例的近接传感器封装结构的侧视示意图。如图2所示， 首先，提供一基板102，其中基板102具有一第一凹槽104以及一第二凹槽106，且第一凹槽 104及第二凹槽106分别是由一底面IOOa及一由底面IOOa向上延伸至基板102的上表面的内侧壁IOOb所界定。本实施例的第一凹槽104是一抛物面状的凹槽，例如碗状，但不限于此。此外，基板102具有不可透光性，且由一复合材料，例如聚酰亚胺(polyimide)、热塑性聚酯(thermoplastic polyester)、交联聚丁烯对苯二甲酸酯树脂(Crosslinked PBT) 或液晶聚合物(Liquid CrystalPolymer)等，所构成。复合材料是通过激光活化而适可于后续工序中在复合材料的表面形成导电层。另外，复合材料包括一掺杂物，例如二氧化钛、 氮化铝或二氧化锆，且掺杂物受到激光光照射下会被活化而成为一金属催化剂。于本实施例中，形成基板102的方法是利用射出成型(injection molding)工艺，但不限于此，亦可利用其它成型工艺来制作出基板102。接着，如图3所示，进行一激光活化工序，以用一激光光直接照射于基板102的表面上，使受到激光光照射的部分基板102的表面被剥蚀，以形成多个图案化沟槽108，并且同时位于基板102表面的掺杂物被激光光活化而成为金属催化剂。本实施例的图案化沟槽 108可区分为至少二第一图案化沟槽108a、多个第二图案化沟槽108b以及一第三图案化沟槽108c。第一图案化沟槽108a是自第一凹槽104的底面IOOa沿第一凹槽104的内侧壁 IOOb以相反方向延伸至基板102的一外侧壁102a，且第二图案化沟槽108b是自第二凹槽 106的底面IOOa沿第二凹槽106的内侧壁IOOb延伸至基板102的外侧壁102a，而第三图案化沟槽108c是设于第二凹槽106的底面IOOa的中央处。值得注意的是，经过激光光照射的基板102，亦即位于各图案化沟槽108内的基板102，会受到激光光的照射而产生一粗糙表面。然后，如图3至图5图5所示，进行一无电电镀(electroless plating)工序，将基板102置于一具有金属离子的化学电镀溶液中，使金属离子于各图案化沟槽108内的基板102上受到金属催化剂催化而还原成金属原子，以于各图案化沟槽108内的基板102上形成一第一电镀层110，且通过基板102的粗糙表面，使第一电镀层110镶嵌(embeded) 于基板102上，并提升第一电镀层110附着于基板本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种近接传感器封装结构，其特征在于，包括：一基板，具有一第一凹槽以及一第二凹槽，该基板具有不可透光性，该第一凹槽及该第二凹槽分别是由一底面及一由该底面向上延伸至该基板的上表面的内侧壁所界定；二第一导电层，设于该基板上，这些第一导电层彼此之间电性绝缘且各该第一导电层是自该第一凹槽的底面沿该内侧壁以相反方向延伸至该基板的一外侧壁；多个第二导电层，设于该基板上，这些第二导电层彼此之间电性绝缘，这些第二导电层区分为相隔离的一第一导电部及一第二导电部，该第一导电部设置于该第二凹槽的底面中央处，而该第二导电部是自该第二凹槽的底面沿该内侧壁延伸至该基板的外侧壁；一发光芯片，设于该第一凹槽内，且该发光芯片电性连接于该等第一导电层；一感测芯片，设于该第二凹槽内的第二导电层的第一导电部上，且该感测芯片电性连接至这些第二导电层；以及二封装胶体，分别覆盖于该发光芯片以及该感测芯片上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赖律名，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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