The invention discloses a method for sapphire crystal growth, directional solidification descent method, namely, in the early growth of sapphire crystal growth from the melt to the bottom, directional solidification, temperature field of uniform cooling, the growth of the solid-liquid interface moves gradually from bottom to top, crystal growth; crystal growth in Blaupunkt stone in the late start to decline, crucible a uniform rate decreased; crystal growth after slow cooling to room temperature, remove the crystal. The growth of technology successfully combines directional solidification and growth technology of directional solidification of the present invention descent descent method, effectively inherits the advantages of both, but also significantly improves the two growth technique. The growth of technology can not only the growth of large size and high quality LED substrate with sapphire crystal materials, at the same time also improve the growth rate of the finished sapphire crystal and reduce the cost of sapphire crystal growth.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种蓝宝石晶体的生长方法，具体说，是涉及一种大尺寸、高质量的蓝 宝石晶体的生长方法，属于晶体生长
技术介绍
蓝宝石衬底，作为LED领域的关键材料，其大尺寸、高质量、低成本的生长已经成 为行业发展最大难点，世界发达国家相继投入大量资金来研发蓝宝石晶体的生长技术。由 于我国在该领域研究起步较晚，相对日美俄等国，技术相对落后，对于LED衬底用大尺寸和 高质量的蓝宝石晶体的生长，其技术仍然不够成熟、不够稳定，而我国市场对蓝宝石衬底， 尤其是大尺寸、高质量的蓝宝石衬底材料的需求正急剧膨胀，供不应求。目前，生产高质量LED衬底用蓝宝石晶体的主流技术主要有热交换法、温度梯度 法和下降法等。但是以上三种主要技术均存在明显的技术缺陷(1)热交换法-首先，由于 采用昂贵的氦气作为热交换气体，成本太高，不适合产业化生长；其次，热交换法生长蓝宝 石对设备的要求非常高；( 温度梯度法-首先，其所需的关键技术就是均勻温场梯度的设 计，而其设计非常困难，整个温场梯度只要在一个环节出现问题，其生长出的蓝宝石晶体质 量数量级下降；其次，温度梯度法，不能生长大尺寸的蓝宝石晶...
【技术保护点】
１．一种生长蓝宝石晶体的方法，其特征在于：为定向凝固下降法，即，在蓝宝石晶体生长初期，从熔体底部以定向凝固法生长，温场均匀降温，生长固液界面自下而上移动，晶体逐渐生长；在蓝宝石晶体生长中后期，启动下降机构，坩埚以一定速率均匀下降；晶体生长结束，缓慢降温至室温，取出晶体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李红军，胡克艳，徐军，郭鑫，苏良碧，陈伟超，钱小波，唐慧丽，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31
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