α－三氧化二铝单晶体的生产方法技术

本发明专利技术属于人造蓝宝石晶体的制备方法技术领域，特别涉及α－三氧化二铝单晶体的生产方法。本发明专利技术α－三氧化二铝单晶体的生产方法，制得的单晶体直径大，具体包括加原料、插晶种、烧结晶体步骤，烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长；所述原料为δ－Ａｌ２Ｏ３或γ－Ａｌ２Ｏ３，插晶种所用晶种为Ｍ轴９０°晶向或Ａ轴７５°晶向，烧结晶体时氢氧火焰比例为３．７～４．２∶１，火焰温度为２０８５～２０９０℃。本发明专利技术得到的单晶体外圆直径：φ４２ｍｍ～φ４５ｍｍ，总长度Ｌ＝８０ｍｍ～９５ｍｍ，可用于微波介质材料、波导激光器、高精密度轴承元器件、大规模集成电子线路板等工业领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于人造蓝宝石晶体的制备方法
，特别涉及。
技术介绍
单晶体传统生产工艺为采用δ-Al2O3或Y-Al2O3氧化铝粉作为原料，晶种为 M轴90°晶向或A轴75°晶向，氢氧气比例2.9 3.6 1，火焰温度2030 2080°C，敲 击下料频率45 75次/min，单次下料量0.8 1.2g，下降生长速度8 20mm/h，生长总 时间12h。采用该制造工艺制得的单晶体生长直径较小，大部分在Φ 20mm Φ 40mm， 很少能够达到Φ42mm以上的大直径单晶体。因此一直限制着单晶体在工业、国防、电 子等领域的应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，该 生产方法制得的α-三氧化二铝单晶体直径大。本专利技术，包括加原料、插晶种、烧结晶体步 骤，烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长；所述原料为δ-Al2O3或 Y-Al2O3'插晶种所用晶种为M轴90°晶向或A轴75°晶向，烧结晶体时氢氧火焰比例 为3.7 4.2 1，火焰温度为2085 2090°C。进一步的，原料优选为纯度99.995%以上、粒径1.9 μ m 3.0 μ m、密度1.14本文档来自技高网...

【技术保护点】
α－三氧化二铝单晶体的生产方法，包括加原料、插晶种、烧结晶体步骤，烧结晶体分为化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长；所述原料为δ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］或γ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，插晶种所用晶种为Ｍ轴９０°晶向或Ａ轴７５°晶向，其特征在于：烧结晶体时氢氧火焰比例为３．７～４．２∶１，火焰温度为２０８５～２０９０℃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱幼平，代成，唐大林，
申请(专利权)人：四川鑫通新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：51