【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化铝粉体，具体涉及一种高纯氧化铝粉体的制备方法。
技术介绍
1、近几年以来随着电子信息技术、新能源技术的快速发展，对电子陶瓷的应用也提出了新要求，向微型化、高纯化、功能化发展，电子陶瓷中氧化铝陶瓷占据90%以上，因此对超细高纯氧化铝的需求越来越高，高纯氧化铝具有高绝缘性、耐热性以及超级耐损性和高耐腐蚀性等特点，在国防军工、航空航天、5g通讯、新能源、半导体领域得到广泛应用，是不可替代的关键材料。目前我国在超细高纯氧化铝粉体的制备方面仍有部分关键技术未突破，存在品质低、生产成本高、批次稳定性差等问题，无法满足我国在关键领域的需求，国内企业及研究机构也进行了持续的研究与开发，高纯氧化铝生产技术，主要有硫酸铝铵工艺、碳酸铝按工艺、醇铝法工艺、胆碱法工艺、水解法工艺、水热法工艺、改良拜耳法工艺、溶胶凝胶工艺等等。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高纯氧化铝粉体的制备方法，以解决现有技术中的高纯氧化铝制备工艺复杂、氧化铝纯度不够的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了以下技术方案：
3、本专利技术提供的一种高纯氧化铝粉体的制备方法，包括以下步骤：
4、s1、制备铝酸钠溶液；
5、s2、制备铝基前驱体，在s1中的铝酸钠溶液加入活性种子，进行种分分解，得到氢氧化铝；
6、s3、高温处理制备氧化铝；
7、s4、通过粉体颗粒解聚、粉体高分散得到高纯氧化铝粉体。
8、进一步的，所
9、s11、将氢氧化钠与粉碎的铝土矿粉混合搅拌均匀，所述铝土矿粉粒径小于85μｍ；
10、s12、将s11中混合物450℃-500℃进行煅烧0.5h，煅烧后加入水溶解并过滤收集滤液；
11、s13、在s12的滤液中加入铝酸钡、碳酸钠，净化完成后过滤得到铝酸钠溶液。
12、进一步的，氢氧化钠与铝土矿的摩尔比按al2o3与na2o计算为1.2-1.6：1。
13、进一步的，所述s13中净化条件为：温度80～90℃，时间1h，搅拌速度为250-320r/min。
14、进一步的，所述s2中种分条件为温度60～50℃，时间8～9h，种子比5％～10％，活性种子为高纯度氢氧化铝。
15、进一步的，所述s3还包括以下子步骤：
16、s31、将s2中的氢氧化铝进行第一阶段煅烧300～800℃，时间为2～4h，煅烧时洗涤，得到γ-al2o3；
17、s32、进行第二阶段煅烧1100～1350℃，时间为2～5h，得到氧化铝。
18、进一步的，所述s31中用稀盐酸洗涤，除去氧化钠。
19、进一步的，所述s4中采用超声波解聚设备进行解聚，采用纳米粉体分散设备进行粉体高分散得到纳米级氧化铝粉体。
20、基于上述技术方案，本专利技术实施例至少可以产生如下技术效果：
21、（1）本专利技术提供的高纯氧化铝粉体的制备方法，制备方法简单，高温条件少设备损耗低，减轻环保压力的特点，并且生产的液体铝酸钠产品硅含量低。
22、（2）本专利技术提供的高纯氧化铝粉体的制备方法，生产的高纯氧化铝达到纯度99.995%以上。
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1.一种高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述S1包括以下子步骤：
3.根据权利要求2所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述S13中净化条件为：温度80～90℃，时间1h，搅拌速度为250-320r/min。
4.根据权利要求1所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述S2中种分条件为温度60～50℃，时间8～9h，种子比5％～10％，活性种子为高纯度氢氧化铝。
5.根据权利要求1所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述S3还包括以下子步骤：
6.根据权利要求5所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述S31中用稀盐酸洗涤，除去氧化钠。
7.根据权利要求1所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述S4中采用超声波解聚设备进行解聚，采用纳米粉体分散设备进行粉体高分散得到纳米级氧化铝粉体。
【技术特征摘要】
1.一种高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述s1包括以下子步骤：
3.根据权利要求2所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述s13中净化条件为：温度80～90℃，时间1h，搅拌速度为250-320r/min。
4.根据权利要求1所述的高纯氧化铝粉体的制备方法，其特征在于，所述s2中种分条件为温度60～50℃，时间...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱幼平，蒋禄军，秦国文，陈宣澄，
申请(专利权)人：四川鑫通新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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