一种硅粉干燥装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种硅粉干燥装置，包括有输入待干燥硅粉以及干燥所需加热气体的输入单元、干燥单元、用于对干燥单元进行抽真空的真空单元以及输出干燥后的硅粉及水汽的输出单元，所述干燥单元分别与输入单元、真空单元以及输出单元连接，通过调节输入单元利用合成尾气作加热气体及真空单元来获得对硅粉的干燥。本实用新型专利技术硅粉干燥装置使整个硅粉加热、干燥流程时间缩短，并可连续操作，减少氮气用量；利用高温三氯氢硅合成尾气循环加热硅粉，使其热量被充分利用，实现节能降耗目的，有效解决了一直以来加压三氯氢硅合成硅粉加热干燥存在的问题。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

Silica fume drying device

The utility model provides a fume drying device comprises an input unit, input for drying and drying powder required for heating gas drying unit, used for the vacuum unit and silica fume and water vapor output after drying the output unit of the drying unit, the drying unit is respectively connected with the input unit, and vacuum unit the output unit to obtain the silicon powder drying by adjusting the input unit by using synthetic tail gas as heating gas and vacuum unit. The utility model makes the whole powder drying device and drying process of silica fume heating time is shortened, and continuous operation, reduce the amount of nitrogen; using high temperature exhaust gas circulation heating trichlorosilane synthesis silica fume, the heat is fully utilized, achieve the purpose of energy saving, effectively solve the pressure there has been the problem of dry heating silicon trichlorosilane synthesis.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于化工装置领域，具体涉及一种对三氯氢硅合成原料硅粉高温连续 干燥的装置。
技术介绍
三氯氢硅氢还原法是德国西门子(Siemens)公司于1卯4年专利技术 的，又称西门子法，是广泛采用的高纯度多晶硅制备技术，其化学反应式为 2SiHCl3+H2 — Si+2HCl+SiCl4+H2。含高纯度三氯氢硅的物料和高纯度氢气在加热的高纯度多晶硅芯上发生还原反 应，通过化学气相沉积，生成的新的高纯度多晶硅沉积在硅芯上；或将高纯度多晶硅粉末置 于加热流化床中，通入高纯度三氯氢硅和高纯度氢气，让生成的新的多晶硅沉积在硅粉上， 形成颗粒状高纯度多晶硅。该反应除了生成高纯度多晶硅外，还生成副产物如四氯化硅和氯化氢等。因此，整 个多晶硅生产过程中有大量的尾气排出。例如，生产1吨的产品硅将有10 20吨四氯化 硅和约1.5吨氯化氢产生。因此，对副产物的处理是目前生产多晶硅的瓶颈。目前，对西门 子法的一些改进主要涉及四氯化硅的综合利用。三氯氢硅作为多晶硅生产原料，三氯氢硅合成工艺如下其化学反应Si+HCl — SiHCl3+H2将硅粉卸至转动圆盘，通过管道用气体输送至硅粉仓，再加入硅粉干燥器，经过圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅粉干燥装置，其特征在于包括有输入待干燥硅粉以及干燥所需加热气体的输入单元、干燥单元、用于对干燥单元进行抽真空的真空单元以及输出干燥后的硅粉及水汽的输出单元，所述干燥单元分别与输入单元、真空单元以及输出单元连接，通过调节输入单元利用合成尾气作加热气体及真空单元来获得对硅粉的干燥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张旭，
申请(专利权)人：特变电工新疆硅业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：65