三氯硅烷制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种三氯硅烷制造装置，其能够使反应室内的温度分布均匀并以更高的热效率加热供给气体的同时，在不损失热效率的情况下谋求装置的大型化，并能够实现大量生产。该三氯硅烷制造装置具备自下方被供给所述原料气体而生成反应气体的大致筒状的反应室、设置于所述反应室内并加热所述原料气体的多个加热器、及连接于这些加热器的下端且固定于所述反应室的底板的多个电极，其中，各所述加热器具有固定于一对所述电极的一对非发热部、及安装于这些非发热部并被供给电力进行发热的发热部，所述发热部具备从各所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间的板状的第1发热体、及高度低于该第1发热体且从所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间的板状的第2发热体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种将四氯化硅转换成三氯硅烷的三氯硅烷制造装置。
技术介绍
作为用于制造硅(Si 硅)的原料所使用的三氯硅烷(SiHCl3)能够通过使四氯化 硅(SiCl4 四氯化硅)和氢气反应并转换来进行制造。S卩，硅通过基于以下反应式(1) (2)的三氯硅烷的还原反应和热解反应生成。三氯 硅烷通过基于以下反应式(3)的转换反应生成。SiHCl3+H2 — Si+3HC1... (1)4SiHCl3 — Si+3SiC14+2H2 …U)SiCl4+H2 — SiHCl3+HCl... (3)作为制造三氯硅烷的装置，例如在专利文献1、2中提出有如下反应容器，即反应 室成为具有由同心配置的2个管形成的外室和内室的二重室设计，且在该反应室的外侧周 围配置发热体的反应容器。在该反应容器中，由碳等形成的发热体通过通电发热而从外侧 对反应室内进行加热，从而使反应室内的气体反应。在专利文献3中公开有，多条管状加热器配置于反应室内且气体在反应室内及加 热器内直接加热的构造的装置。像这样的反应室中期望反应室内的温度分布要均勻。例如专利文献4中提出有如 下加热器，即为了有效加热温度容易变低的反应室本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种由包含四氯化硅和氢气的原料气体制造三氯硅烷的装置，其特征在于，具备：大致筒状的反应室，自下方被供给所述原料气体而生成包含三氯硅烷和氯化氢等的反应气体；多个加热器，设置于所述反应室内并加热所述原料气体；及多个电极，连接于这些加热器的下端且固定于所述反应室的底板，各所述加热器具有：一对非发热部，固定于一对所述电极；及发热部，安装于这些非发热部并被供给电力进行发热，所述发热部具备：第１发热体，为板状且从各所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间；第２发热体，为板状且高度低于该第１发热体，从各所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：村上直也，斋木渉，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：JP