The present invention provides a negative photosensitive resin composition and a method of manufacturing a relief relief pattern which can form a cured film excellent in adhesion to a substrate after low temperature cure. Negative type photosensitive resin composition containing: 100 phr (A) polyimide precursor specific structure; 1 ~ 20 phr (B) a photopolymerization initiator; and 0.01 to 10 mass (C) with 1 or more functional groups selected from hydroxyl, ether and ester groups in the group consisting of carbon the number of single carboxylic acid compounds 2 ~ 30.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及感光性树脂组合物、使用其的固化浮雕图案的制造方法、以及半导体装置，所述感光性树脂组合物用于形成例如电子部件的绝缘材料以及半导体装置中的钝化膜、缓冲涂膜和层间绝缘膜等的浮雕图案。
技术介绍
以往，电子部件的绝缘材料以及半导体装置的钝化膜、表面保护膜、层间绝缘膜等使用兼具优异的耐热性、电特性和机械特性的聚酰亚胺树脂。在该聚酰亚胺树脂中，以感光性聚酰亚胺前体的形式提供的物质可通过该前体的涂布、曝光、显影、和固化的热酰亚胺化处理来容易地形成耐热性的浮雕图案覆膜。与以往的非感光型聚酰亚胺相比，这样的感光性聚酰亚胺前体具有可大幅缩短工序的特征。另一方面，近年来，从集成度和功能的提高、以及芯片尺寸的短小化的观点来看， 将半导体装置安装到印刷布线基板中的方法也在变化。逐渐从以往的利用金属针和铅-锡共晶焊料的安装方法转变为使用可更高密度安装的BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)、 CSP (Chip Size lockage，芯片尺寸封装体)等聚酰亚胺覆膜直接接触焊料凸块的结构。在形成这样的凸块结构时，该覆膜需要具有高的耐热性和耐化学药品性。已公开了通过在包含聚酰亚胺前体或聚苯并噁唑前体的组合物中添加热交联剂来提高聚酰亚胺覆膜或聚苯并噁唑覆膜的耐热性的方法(参照专利文献1)。进而，由于半导体装置的微细化的推进，半导体装置的布线电阻已经变得无法忽视。因此，正从迄今使用的金或铝的布线向电阻更低的铜或铜合金的布线改变。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2003-287889号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，专利技术人认识到，如果使用上...
【技术保护点】
１．一种负型感光性树脂组合物，其含有下述物质：１００质量份（Ａ）具有下述通式（１）所示的结构的聚酰亚胺前体，［化学式１］式中，Ｘ１为４价有机基团，Ｙ１为２价有机基团，ｎ为２～１５０的整数，Ｒ１和Ｒ２各自独立地为氢原子、或下述通式（２）所示的１价有机基团、或碳数１～４的饱和脂肪族基团，其中，Ｒ１和Ｒ２这两者不同时为氢原子，［化学式２］式中，Ｒ３、Ｒ４和Ｒ５各自独立地为氢原子或碳数１～３的有机基团，且ｍ为２～１０的整数；１～２０质量份（Ｂ）光聚合引发剂；以及０．０１～１０质量份（Ｃ）具有１个以上选自由羟基、醚基和酯基组成的组中的官能团的碳数２～３０的单羧酸化合物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤田充，
申请(专利权)人：旭化成电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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