一种降低金属损伤的电镀铜方法技术

本发明专利技术揭露了一种降低金属损伤的电镀铜方法，该方法通过在低直流电流电镀铜和高直流电流电镀铜之间增加脉冲电流电镀铜，从而提高电镀铜的耐腐蚀性能，降低后续工艺中对铜进行化学机械抛光（ＣＭＰ）时产生的金属损伤，减小通孔断路的风险，提高芯片的良率。

Electroplating copper method for reducing metal damage

The invention discloses a metal to reduce the injury of copper plating method, the method by increasing the pulse current electroplating of copper in copper plating between low DC current and high DC current copper plating, copper plating to improve corrosion resistance, reduce chemical mechanical polishing of copper in the subsequent process (CMP) metal damage caused by to reduce the risk of breaking through hole, high yield of chip.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造加工方法，尤其涉及。
技术介绍
随着芯片集成度的不断提高，铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术。作为铝的替代物，铜导线可以降低互连阻抗，降低功耗和成本，提高芯片的集成度、器件密度和时钟频率。由于对铜的刻蚀非常困难，因此铜互连采用双嵌入式工艺，又称双大马士革工艺 (Dual Damascene)，双大马士革工艺的工艺步骤为1)首先沉积一层薄的氮化硅(Si3N4)作为扩散阻挡层和刻蚀终止层，幻接着在上面沉积一定厚度的氧化硅(SiO2)，幻然后光刻出微通孔(Via)，4)对通孔进行部分刻蚀，幻之后再光刻出沟槽(Trench)，6)继续刻蚀出完整的通孔和沟槽，7)接着是溅射(PVD)扩散阻挡层(TaN/Ta)和铜种籽层(Seed Layer), 8) 之后就是铜互连线的电镀工艺，9)最后是退火和化学机械抛光(CMP)，对铜镀层进行平坦化处理和清洗。在双大马士革工艺的工艺过程中，铜互连线的电镀工艺通常采用硫酸盐体系的电镀液，电镀液由硫酸铜、硫酸和水组成，呈淡蓝色。当电源加在铜(阳极)和硅片(阴极) 之间时，溶液中产生电流并形成电场。阳极的铜发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种降低金属损伤的电镀铜方法，用于在晶片上沉积铜互连层，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将所述晶片放入电镀槽中，在电镀电流为第一直流电流的条件下电镀第一时间段；在电镀电流为脉冲电流的条件下电镀第二时间段；在电镀电流为第二直流电流的条件下电镀第三时间段。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘盛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]