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本发明揭露了一种降低金属损伤的电镀铜方法,该方法通过在低直流电流电镀铜和高直流电流电镀铜之间增加脉冲电流电镀铜,从而提高电镀铜的耐腐蚀性能,降低后续工艺中对铜进行化学机械抛光(CMP)时产生的金属损伤,减小通孔断路的风险,提高芯片的良率。...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明揭露了一种降低金属损伤的电镀铜方法,该方法通过在低直流电流电镀铜和高直流电流电镀铜之间增加脉冲电流电镀铜,从而提高电镀铜的耐腐蚀性能,降低后续工艺中对铜进行化学机械抛光(CMP)时产生的金属损伤,减小通孔断路的风险,提高芯片的良率。...