一种AgTe二元相变纳米线制备方法技术

本发明专利技术涉及一种AgTe二元相变纳米线制备方法；先合成Te纳米线模板：在反应釜中配制PVP溶液，然后配制亚碲酸钾溶液，K2TeO3与PVP的质量比为0.08-0.21，在搅拌下加入到盛有PVP溶液的反应釜中，再向釜中加入25％的氨水和85％的水合肼，最后将得到Te模板溶液备用；再合成AgTe二元纳米线：配制乙酸银溶液，AgOAc与PVP的质量比为0.01-0.23；加入上一步得到的摩尔比Ag∶Te＝0.5-5∶1Te模板溶液后，在室温下搅拌12-24小时，经过洗涤、干燥得到了Ag∶Te＝0.36-4.81∶1的AgTe二元相变纳米线。本发明专利技术的AgTe二元相变纳米线尺寸很均匀，由成分分析EDX照片可知得到了Ag与Te不同比例的AgTe二元相变纳米线。纳米线直径小于40纳米，是研究单根纳米线相变存储性能的良好材料。

Preparation method of AgTe two element phase change nano wire

The invention relates to a preparation method of AgTe nano wire two yuan transformation; the first synthesis of Te nanowires template: preparation of PVP solution in the reaction kettle, then preparing potassium tellurite solution, the quality of K2TeO3 and PVP is 0.08-0.21, under stirring into the reaction vessel containing PVP solution, then adding 25% 85% ammonia and hydrazine hydrate to the kettle, finally will get Te template solution again two yuan reserve; synthesis of AgTe nanowires: preparation of silver acetate solution, the quality of AgOAc and PVP is 0.01-0.23; adding a step the molar ratio of Ag: Te = 0.5-5: 1Te template solution, stirring for 12-24 hours in the room temperature after washing and drying to obtain the Ag: Te = 0.36-4.81: 1 AgTe two phase nanowires. The AgTe two element phase change nano wire of the invention has a very uniform size, and the AgTe two element phase change nano wires with different proportions of Ag and Te can be obtained by means of component analysis and EDX pictures. Nanowires with diameters less than 40 nm are good materials for studying phase change storage properties of single nanowires.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及相变存储纳米材料的制备方法。具体说，是关于一维AgTe 二元相变纳 米线制备方法。
技术介绍
1968年，S. R. Ovshinshy首先报道硫系化合物薄膜在电流脉冲作用下从非晶态变 成晶态，再可逆的变回非晶态的过程中，呈现不同的光学特性和电阻特性，并提出了相变存 储的概念。相变存储是一种材料在晶态和非晶态两种独立稳定的结构态之间转换，以实现 信息的直接记录和擦除。硫系化合物相变非易失性随机存储器(简称“C-RAM”)具有多级 存储、存储密度高、制造简单、读取速度快、擦写次数高、功耗低等优点，被英特尔和三星等 公司认为最有可能成为下一代半导体存储器的主流产品。C-RAM器件的抗强震动、辐射等性 能，使它在航天、导弹系统中有重要的应用前景。C-RAM存储器也将广泛应用于笔记本电脑、 数码相机、数码录像机、U盘、移动电话、记忆棒、移动存储卡等其他设备。今后C-RAM存储 器的典型应用还将深入到各个领域，其中包括扫描仪、各种终端、网络路由器、枢纽通信器， 以及大量的潜在应用领域。信息的高速发展对存储器提出了更高的要求，各大半导体厂商 (如Intel、Ovonyx、Pill本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＡｇＴｅ二元相变纳米线制备方法，其特征步骤如下：１）合成Ｔｅ纳米线模板：在反应釜中配制质量百分数为１．９６－５．０６％的聚乙烯吡咯烷酮溶液，然后配制质量百分数为０．５３－１．０５％的亚碲酸钾溶液，搅拌下加入到盛有ＰＶＰ溶液的反应釜中，Ｋ２ＴｅＯ３与ＰＶＰ的质量比为０．０８－０．２１；继续搅拌１０－２０分钟混合均匀，再向釜中加入２５％的氨水使溶液的ｐＨ为１０－１１，加入８５％的水合肼Ｎ２Ｈ４·Ｈ２Ｏ使溶液从无色变成咖啡色，然后将反应釜密封置于２１０℃的烘箱中８－１２小时；最后将反应釜自然冷却到室温得到Ｔｅ纳米线，旋蒸干燥Ｔｅ产物，将旋蒸干燥的Ｔｅ产物溶解于１０－３０毫升的二次蒸馏水中得到...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张兵，侯双霞，张华，于一夫，许友，汪欢，武萱，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12