一种CuInS2纳米晶材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种CuInS2纳米晶材料的制备方法，它是以油酸铜、油酸铟前躯体和单质硫为原料采用一步化学法制备的具有黄铜矿结构、尺寸可控的CuInS2纳米晶材料。本发明专利技术的优点是：本发明专利技术提供的CuInS2纳米晶材料的制备方法操作简单，易重复、纯度高、反应条件温和、无污染，大大降低了成本，适于大规模工业化生产；本发明专利技术提供的CuInS2纳米晶材料具有量子尺寸效应，可以作为太阳能电池的吸收材料，对于其在太阳能电池领域的实际应用将具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电材料及其制备技术，具体为一种01 纳米晶材料的制备方法。技术背景半导体三元硫属化合物I-III-VI2 (I = Cu, Ag; III = Ga, In; VI = S, Se, Te)由于在光电材料、生物标记和光催化等方面的广泛应用而受到人们的关注。作为一种典 型的三元化合物，CuInS2半导体受到了广泛的研究，因为它作为一种很好的光电材料具有 很多优势，例如01 为直接带隙半导体材料，禁带宽度为1. 53 eV，接近太阳能电池材料 所需的最佳禁带宽度值(1.45 eV)，且禁带宽度对温度的变化不敏感。01 材料的吸收系 数高达IO5 CnT1数量级，以其作为太阳能电池的光吸收层，厚度仅需广2 μπι。01 可制 得高质量的P型和η型薄膜，易于制成同质结，通过理论计算预测，CuInS2太阳能电池的转 换效率在观％ 32%，这在所有光伏器件中是最高的，非常适合作为太阳能电池的光吸收材 料。目前，对于01 纳米晶的制备主要包括以下几种方法单源前躯体法、水热或溶 剂热法等。例如，Hepp等通过在20(T250°C热分解单源前驱体(PWi3)2Cuh (本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣｕＩｎＳ↓［２］纳米晶材料的制备方法，其特征在于：所述ＣｕＩｎＳ↓［２］纳米晶材料是一种单分散的、粒径大小为２～１０ｎｍ的ＣｕＩｎＳ↓［２］纳米晶，其制备方法包括以下步骤：１）将油酸钠与氯化铜或氯化铟溶于正己烷、去离子水和乙醇的混合溶液中并在压力值为０．１～０．２ＭＰａ下进行减压蒸馏，然后在４０～８０℃下搅拌反应２～５ｈ，然后水洗３～５次并旋蒸除去剩下的正己烷，即得到前驱体油酸铜和油酸铟；２）将制得的前驱体油酸铜和油酸铟与油酸混合，把溶解有单质硫的油胺溶剂加入上述混合溶液中，在温度为７０～１００℃、真空度为０～－０．１ＭＰａ真空条件下，反应２０～５０ｍｉｎ后，充入Ａｒ，最后在温度为１７０...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈军，彭生杰，梁静，王艳，程方益，陶占良，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12